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16 条 记 录,以下是 1-10
尹甲运
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SI衬底 ALGAN GAN ALN 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAN 微波器件 SIC_MESFET MMIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯震
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁凤坡
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李佳
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:石墨烯 碳化硅 外延层 衬底 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁栋
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:HEMT GAN SI衬底 氮化镓 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默江辉
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SIC_MESFET 微波器件 夹具 大功率 内匹配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李效白
供职机构:专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题:HFET 集成电路 GAN 电流崩塌 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨克武
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:HFET 微波器件 内匹配 X波段 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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