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陶岳彬

作品数：19 被引量：4H指数：2
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地区

  • 17个北京市
共 17 条 记 录，以下是 1-10
张国义
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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杨志坚
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方浩
供职机构：北京大学
研究主题：单芯片 白光发光二极管 白光LED 光电转化效率 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
桑立雯
供职机构：北京大学
研究主题：单芯片 欧姆接触 白光发光二极管 白光LED 光电转化效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李丁
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题：单芯片 白光发光二极管 白光LED 光电转化效率 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈志忠
供职机构：北京大学
研究主题：GAN 氮化镓 发光二极管 激光剥离 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于彤军
供职机构：北京大学
研究主题：衬底 厚膜 GAN 氮化镓 光电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兴斌
供职机构：北京大学
研究主题：分子束外延 金属有机物化学气相沉积 氢化物气相外延 衬底 氮化镓基发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康香宁
供职机构：北京大学
研究主题：氮化镓 衬底 出光效率 ALGAN 激光剥离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
童玉珍
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD生长 MOCVD INGAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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