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方浩

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 15篇发光
  • 11篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 9篇白光
  • 7篇单芯片
  • 6篇白光LED
  • 6篇白光发光二极...
  • 5篇氮化镓
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇光电转化效率
  • 4篇气相外延
  • 4篇氢化物气相外...
  • 4篇金属有机物
  • 4篇金属有机物化...
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇应力
  • 3篇自支撑
  • 3篇位错
  • 3篇晶体

机构

  • 22篇北京大学
  • 1篇上海蓝光科技...

作者

  • 22篇方浩
  • 20篇张国义
  • 19篇杨志坚
  • 15篇桑立雯
  • 14篇陶岳彬
  • 10篇李丁
  • 8篇于彤军
  • 5篇秦志新
  • 4篇李兴斌
  • 4篇陈志忠
  • 2篇代涛
  • 2篇童玉珍
  • 2篇康香宁
  • 1篇张小平
  • 1篇张延召
  • 1篇沈波
  • 1篇陆羽
  • 1篇章蓓
  • 1篇俞大鹏
  • 1篇孙永健

传媒

  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 7篇2009
  • 4篇2008
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理...
于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
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一种AlN缓冲层的生长方法
本发明提供了一种AlN缓冲层的生长方法，采用金属有机化学气相沉积方法，以氢气作为载气，TMAl和NH<Sub>3</Sub>分别作为Al源和N源，控制温度为1050℃－1200℃，压力为100－200torr，V/III...
桑立雯杨志坚秦志新方浩于彤军张国义
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一种双波长单芯片发光二极管
本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个...
陶岳彬杨志坚方浩桑立雯李丁张国义
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一种生长p型AlGaN的方法
本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂...
张国义桑立雯秦志新张延召杨志坚于彤军方浩
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电注入调控三基色单芯片白光发光二极管
本发明公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管(LED)，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁童玉珍
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一种单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种单芯片白LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370-420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光...
杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁张国义
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通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED
本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
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背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段...
张国义杨志坚方浩陶岳彬桑立雯李丁
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一种制备同质外延衬底的方法
本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬...
于彤军方浩陶岳彬李兴斌陈志忠杨志坚张国义
一种深紫外发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种深紫外发光二极管(LED)及其制备方法，采用低温GaN插入层取代AlN/AlGaN超晶格或高温GaN插入层来生长深紫外LED，该低温GaN插入层是在温度400－900℃，压力30－200torr，V/II...
秦志新桑立雯杨志坚方浩于彤军张国义
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