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陈建炉

作品数:11 被引量:8H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 11个电子电信
  • 3个电气工程
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  • 1个文化科学
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主题

  • 11个分子束
  • 11个分子束外延
  • 10个二维电子
  • 10个二维电子气
  • 10个GAAS
  • 9个半导体
  • 8个电子迁移率
  • 8个异质结
  • 8个迁移率
  • 8个晶体管
  • 8个高电子迁移率
  • 8个高电子迁移率...
  • 8个半导体材料
  • 8个MBE生长
  • 7个异质结材料
  • 7个英文
  • 7个微波毫米波
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  • 5个底片
  • 4个调制

机构

  • 11个南京电子器件...
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  • 1个长春理工大学
  • 1个南京大学
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  • 1个中国电子科技...
  • 1个电子工业部
  • 1个信息产业部
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  • 1个中华人民共和...
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资助

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  • 3个江苏省自然科...
  • 3个中国科学院知...
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  • 2个国家重点基础...
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传媒

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  • 2个光谱学与光谱...
  • 2个真空

地区

  • 10个江苏省
  • 1个安徽省
11 条 记 录,以下是 1-10
邱凯
供职机构:中国科学院固体物理研究所
研究主题:分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构:南京大学
研究主题:蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
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尹志军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓娟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MBE生长 分子束外延 二维电子气 MM-HEMT材料 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方小华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:分子束外延 异质结 MBE生长 英文 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方晓华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MBE 分子束外延 二维电子气 调制掺杂 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋朝辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MBE 分子束外延 二维电子气 调制掺杂 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
将朝晖
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MBE生长 分子束外延 PHP 半导体材料 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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