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金晓军

作品数:12 被引量:18H指数:3
供职机构:清华大学更多>>
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相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

领域

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地区

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17 条 记 录,以下是 1-10
钱佩信
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培毅
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE 锗化硅 HBT 量子点 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林惠旺
供职机构:清华大学
研究主题:超大规模集成电路 半导体 压力传感器 压阻式压力传感器 灵敏度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 GAN 硅 多晶硅 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱伟
供职机构:清华大学
研究主题:SIGE_HBT HBT 锗化硅 质子交换膜 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进书
供职机构:清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题:SIGE异质结双极晶体管 双极晶体管 异质结 超高真空 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘荣华
供职机构:中国水利水电科学研究院
研究主题:山洪 山洪灾害 水文模型 降雨 小流域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩勇
供职机构:清华大学
研究主题:成像 超大规模集成电路 标记法 高温计 放电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉琦
供职机构:清华大学
研究主题:超大规模集成电路 超晶格薄膜 样片 半导体晶片 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾宏勇
供职机构:清华大学核能与新能源技术研究院
研究主题:HBT 锗化硅 SIGE_HBT SI SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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