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杨静

作品数:30 被引量:2H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺机械工程理学更多>>

领域

  • 9个电子电信
  • 6个金属学及工艺
  • 4个电气工程
  • 4个自动化与计算...
  • 4个文化科学
  • 4个理学
  • 3个一般工业技术
  • 2个化学工程
  • 2个机械工程
  • 1个冶金工程
  • 1个医药卫生

主题

  • 8个单晶
  • 8个单晶片
  • 6个单晶生长
  • 6个锗单晶
  • 6个直接键合
  • 6个酸腐蚀
  • 5个单晶硅
  • 5个单晶炉
  • 5个形貌
  • 5个英寸
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  • 3个氮掺杂
  • 3个倒角
  • 3个低氧

机构

  • 9个中国电子科技...
  • 4个中国电子科技...
  • 1个第三军医大学...
  • 1个河北工业大学
  • 1个天津大学
  • 1个第三军医大学...
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 3个国家自然科学...
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  • 1个重庆市自然科...

传媒

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  • 4个微纳电子技术
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  • 3个电源技术
  • 2个材料导报
  • 2个人工晶体学报
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  • 2个第十五届全国...
  • 2个第十五届全国...
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  • 1个重庆医学
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  • 1个声学技术
  • 1个传感技术学报
  • 1个光电子技术

地区

  • 8个北京市
  • 1个重庆市
9 条 记 录,以下是 1-9
杨洪星
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟才
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶片 晶片 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩焕鹏
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶炉 晶片 单晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庞炳远
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 硅单晶生长 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
索开南
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 少子寿命 硅 区熔硅单晶 SI单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵权
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:单晶片 锗 锗单晶 晶片 抛光片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹亮
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所
研究主题:声表面波滤波器 滤波器 传感器 肽核酸 杂交
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于妍
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:酸腐蚀 翘曲 单晶片 翘曲度 冰乙酸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高丹
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:抛光片 腐蚀坑 硅单晶 画格 金相显微镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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