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刘志农

作品数：18 被引量：35H指数：4
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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共 24 条 记 录，以下是 1-10
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT SOI 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培毅
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE 锗化硅 HBT 量子点 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄文韬
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT HBT SIGE UHV/CVD GE量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗广礼
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE UHV/CVD 红外探测器 锗化硅 XSI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林惠旺
供职机构：清华大学
研究主题：超大规模集成电路 半导体 压力传感器 压阻式压力传感器 灵敏度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题：SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊小义
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT HBT SIGE 多晶发射极 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾宏勇
供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院
研究主题：HBT 锗化硅 SIGE_HBT SI SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付玉霞
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT 集成电路 HBT 干法刻蚀 SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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