黄文韬
- 作品数：25 被引量：28H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划面向21世纪教育振兴行动计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
- 2002年
- 研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
- 邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
- 关键词：UHVCVDGE量子点
- 纳米尺度加工技术概述
- 2002年
- 本文简要介绍了微电子光刻技术的发展和现有的一些可替代技术及其优缺点,并介绍了一些利用常规方法和工艺手段实现局域或自组装纳米结构的方法。
- 王吉林邓宁刘志农黄文韬陈培毅
- 关键词：光刻技术微电子工艺纳米压印量子点特征尺寸微电子技术
- SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
- 2003年
- 在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
- 熊小义刘志农张伟付玉霞黄文韬刘志弘陈长春窦维治钱佩信
- 关键词：SIGEHBT湿法腐蚀异质结双极晶体管硅锗
- SiGe/Si外延与SiGe HBT微波单片放大电路研究
- 黄文韬
- 关键词：HBTUHV/CVD应变弛豫
- 文献传递
- BV_(CBO)为23V且f_T为7GHz30叉指微波功率SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2004年
- 在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在较大 IC范围内 ,电流增益均非常稳定 .在直流工作点 IC=4 0 m A ,VCE=8V测得 f T为 7GHz,表现出较大的电流处理能力 .在 B类连续波条件下 ,工作频率为 3GHz时 ,测得输出功率为 31d Bm,Gp 为10 d B,且 PAE为 33.3% .测试结果表明 ,单片成品率达到了 85 % ,意味着该研究结果已达到产业化水平 .
- 熊小义张伟许军刘志宏陈长春黄文韬李希有钟涛钱佩信
- 关键词：SIGEHBTFT
- UHV/CVD自组织生长Ge量子点
- 利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10<'10>/cm<'2>,且其大小均匀性也...
- 罗广礼黄文韬史进黎晨陈培毅钱佩信
- 关键词：GE量子点自组织生长
- 文献传递
- 多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)被引量：3
- 2003年
- 研制成功了可商业化的 75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料 .研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件 ,其性能为 :β =60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指 ,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷 ,该工艺总共只有 6步光刻 ,与CMOS工艺兼容且 (因多晶发射极 )无需发射极外延层的生长 ,这些优点使其适合于商业化生产 .利用 60指和 1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器 .60指功放在 90 0MHz和 3 5V/ 0 2A偏置时在 1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE =2 2dBm/ 1 1dB/ 2 6 1 % .1 2 0指功放 90 0MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE =33 3dBm (2 1W ) / 1 0 3dB/ 33 9% @1 1V/ 0 52A .
- 刘志农熊小义黄文韬李高庆张伟许军刘志弘林惠旺许平陈培毅钱佩信
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管微波功率放大器
- 多层Ge量子点的生长及其光学特性被引量：6
- 2003年
- 用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 .分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸 ,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响 .观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移 (87meV) ,Ge量子点的PL谱线的半高宽度 (FWHM )为 46meV 。
- 邓宁王吉林黄文韬陈培毅李志坚
- 关键词：PL谱
- 有弛豫缓冲层的SiGe HMOSFET材料
- 利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高...
- 黄文韬刘志农罗光礼陈培毅钱佩信
- 关键词：SIGE材料生长速率
- 文献传递
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华刘志弘白玉琦陈必贤黄文韬陈长春
- 文献传递
