2024年11月26日
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朱战平
作品数:
20
被引量:7
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
北京市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
曾一平
中国科学院半导体研究所
王保强
中国科学院半导体研究所
崔利杰
中国科学院半导体研究所
王宝强
中国科学院半导体研究所
崔利杰
中国科学院
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曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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王保强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:振荡器 沟道 MM-HEMT材料 MBE生长 MBE
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崔利杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 二维电子气 掺杂 磁输运 太赫兹波
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王宝强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MBE 量子点 MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
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研究领域
崔利杰
供职机构:中国科学院
研究主题:MM-HEMT材料 MBE生长 GAAS 材料性能 MBE
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王保强
供职机构:中国科学院
研究主题:MM-HEMT材料 MBE生长 RTD 分子束外延 GAAS
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李灵霄
供职机构:中国科学院
研究主题:GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
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张昉昉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MBE生长 MBE 分子束外延生长 掺杂 PHEMT
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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段瑞飞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
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