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顾聪

作品数:10 被引量:13H指数:3
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
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5 条 记 录,以下是 1-5
刘佑宝
供职机构:中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
研究主题:砷化镓 MESFET SOI 模型参数 PD_SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高一凡
供职机构:长安大学
研究主题:MESFET 微波功率 偏置 砷 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓平
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:大功率 MESFET S参数 微波器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴龙胜
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:CMOS图像传感器 单粒子翻转 输入端 SOI 读出电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱刚
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:微处理器 VLSI 协处理器 CPU ALU
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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