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赵冀

作品数:10 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>

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地区

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20 条 记 录,以下是 1-10
朱蓉辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑红军
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:微缺陷 VGF LEC 单晶生长 温控设备
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伊晓燕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王莉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 氮化镓 蓝宝石 发光器件 光提取效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
季安
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:湿法腐蚀 MEMS压力传感器 干法刻蚀 自对准 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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