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穆甫臣

作品数：21 被引量：51H指数：4
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
李志国
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 加速寿命试验 微电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙英华
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 欧姆接触 半导体器件 金属化布线 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈光地
供职机构：北京工业大学
研究主题：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 发光二极管 红外探测器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程尧海
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 微电子器件 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭伟玲
供职机构：北京工业大学
研究主题：半导体激光器 可靠性 发光二极管 LED GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建新
供职机构：北京工业大学
研究主题：HBT 半导体激光器 硅 可靠性 异质结晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 双极晶体管 X HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段小蓉
供职机构：北京大学
研究主题：软击穿 超薄栅氧化层 MOS器件 N-MOSFET 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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