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杨沛锋

作品数：6 被引量：8H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
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共 17 条 记 录，以下是 1-10
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 沟道 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈勇
供职机构：电子科技大学自动化工程学院
研究主题：操作系统 OS/2 并行处理 MOSFET P2P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖兵
供职机构：电子科技大学
研究主题：MOSFET VLSI/ULSI 模型参数提取 CMOS单片集成 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢孟贤
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：砷化镓 微电子 SIGE 双极型晶体管 微电子技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭超元
供职机构：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
研究主题：MOSFET 互扩散 模型参数提取
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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