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肖兵

作品数：8 被引量：19H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 3篇VLSI/U...
  • 3篇MOSFET
  • 2篇电路
  • 2篇模型参数提取
  • 2篇集成电路
  • 1篇带宽
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇低损耗
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道MOS...
  • 1篇亚微米
  • 1篇亚微米器件
  • 1篇载流子
  • 1篇器件物理
  • 1篇热载流子
  • 1篇微米
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性

机构

  • 8篇电子科技大学
  • 1篇四川固体电路...

作者

  • 8篇肖兵
  • 6篇杨谟华
  • 4篇于奇
  • 2篇杨沛锋
  • 2篇刘玉奎
  • 2篇陈勇
  • 1篇严顺炳
  • 1篇陈勇
  • 1篇谭超元
  • 1篇谢孟贤
  • 1篇王向展
  • 1篇李竞春
  • 1篇刘诺
  • 1篇江泽福
  • 1篇方朋

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇电子科技大学...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇第八届全国可...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
短沟道MOSFET解析物理模型被引量：2
1999年
本文基于修正的二维泊松方程导出了适用于深亚微米MOSFET的阈值电压解析模型,并进而通过反型区电荷统一表达式并考虑到载流子速度饱和、DIBL、相关迁移率、反型层电容和沟道长度调制等主要小尺寸与高场效应,最后得到了较为准确、连续和可缩小的漏极电流模型.模型输出与华晶等样品测试MINIMOS模拟结果较为吻合。
杨谟华于奇肖兵谢晓峰李竞春
关键词：短沟道MOSFETVLSI/ULSI
低损耗沟槽栅超结IGBTEMI产生机理及抑制技术研究
肖兵
MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取被引量：7
2000年
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化
杨谟华于奇王向展陈勇刘玉奎肖兵杨沛锋方朋孔学东谭超元钟征宇
关键词：热载流子MOSFET场效应晶体管
MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取
MOSFET热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔI＜，ds＞/I＜，ds0＞、I＜，sub＞等实测数据的拟合处理，本文发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型；进而由自动测试ATE...
于奇王向展陈勇刘玉奎肖兵杨沛锋方朋杨谟华谭超元
适合VLSI/ULSI的深亚微米MOS器件模型BSIM2的研究被引量：1
1997年
论述了深亚微米ＭＯＳ器件模型ＢＳＩＭ２。从强反型区、亚阈区、过渡区及输出电阻等几方面，以物理概念为基础进行了较详细分析，并与国内１μｍ工艺的ｎＭＯＳ测量数据进行了比较。
陈勇肖兵杨漠华
关键词：MOS器件器件物理亚微米器件
Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究被引量：1
1996年
对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。
肖兵杨谟华杨中海
关键词：场致发射
CMOS单片集成恒带宽放大模块被引量：8
1997年
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．
杨谟华成勃于奇肖兵谢孟贤杨存宇江泽福严顺炳
关键词：CMOS单片集成电路带宽放大器
VLSI／ULSI可靠性的监测与模拟
1994年
论述分析了现代ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ电路可靠性监测与模拟技术的研究进展、应用趋势以及相关的新型监测分析技术，并讨论了其研究设计与发展方向。
杨谟华肖兵刘诺
关键词：VLSIULSI可靠性集成电路
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