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彭劲松

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

  • 10个江苏省
共 10 条 记 录，以下是 1-10
李光超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 微波单片集成电路 X波段 PIN限幅器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 GAAS MMIC GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李真
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PIN限幅器 单片 X波段 GAAS 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡利康
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 英寸 掩膜 二进制 焦深
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐世军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 功率放大器 功率管 内匹配 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈韬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 功率管 P波段 氮化镓 微波功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 PHEMT GAAS 孤子解 单片功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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