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于伟东

作品数:13 被引量:16H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

领域

  • 13个理学
  • 12个电子电信
  • 12个一般工业技术
  • 10个自动化与计算...
  • 9个金属学及工艺
  • 7个化学工程
  • 7个电气工程
  • 5个经济管理
  • 5个医药卫生
  • 4个文化科学
  • 2个政治法律
  • 2个自然科学总论
  • 1个哲学宗教
  • 1个生物学
  • 1个冶金工程
  • 1个机械工程
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个交通运输工程
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个环境科学与工...

主题

  • 13个纳米
  • 13个纳米管
  • 11个碳纳米管
  • 11个显示器
  • 11个离子束
  • 9个电子发射
  • 9个性能研究
  • 7个等离子体
  • 6个单片
  • 6个氮化
  • 6个氮化硅
  • 6个氮化硅薄膜
  • 6个导体
  • 6个电路
  • 4个单晶
  • 4个单晶硅
  • 4个氮化物
  • 3个单粒子
  • 3个单粒子效应
  • 3个氮化硼

机构

  • 11个中国科学院
  • 8个中国科学院上...
  • 4个华东师范大学
  • 2个电子科技大学
  • 2个清华大学
  • 2个西南交通大学
  • 1个复旦大学
  • 1个上海交通大学
  • 1个苏州大学
  • 1个教育部
  • 1个昆明理工大学
  • 1个天津大学
  • 1个江苏石油化工...
  • 1个中国科学院研...
  • 1个中科院上海微...
  • 1个中国科学院兰...
  • 1个上海新傲科技...

资助

  • 12个国家重点基础...
  • 10个国家自然科学...
  • 7个国家高技术研...
  • 7个上海市自然科...
  • 5个上海市科学技...
  • 4个上海市科委纳...
  • 4个上海市科学技...
  • 3个德国洪堡基金
  • 2个国防科技技术...
  • 2个上海市青年科...
  • 2个中国博士后科...
  • 2个国家杰出青年...
  • 2个中央级公益性...
  • 2个广东省教育部...
  • 2个青年科技基金
  • 1个基础研究重大...
  • 1个美国国家科学...
  • 1个国家科技重大...
  • 1个“上海-应用...
  • 1个高功率半导体...

传媒

  • 12个功能材料与器...
  • 9个Journa...
  • 9个功能材料
  • 7个材料导报
  • 6个半导体技术
  • 6个发光学报
  • 6个材料研究学报
  • 6个真空电子技术
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  • 5个物理学报
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  • 5个中国科学(E...
  • 5个液晶与显示
  • 5个电子器件
  • 4个科学通报
  • 4个光散射学报
  • 4个固体电子学研...
  • 4个光电子技术

地区

  • 10个上海市
  • 2个四川省
  • 1个北京市
13 条 记 录,以下是 1-10
王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张继华
供职机构:电子科技大学
研究主题:射频磁控溅射 BST 铁电薄膜 介电性能 基片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柳襄怀
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张福民
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束辅助沉积 离子束 过渡金属催化剂 场发射显示器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯涛
供职机构:华东师范大学
研究主题:碳纳米管 场发射 离子束辅助沉积 场发射显示器 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨文伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:功率器件 击穿电压 SOI材料 LDMOS SOI_LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业民
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李琼
供职机构:华东师范大学
研究主题:场发射显示器 硅 碳纳米管 场发射阵列 冷阴极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永进
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:波导 反应离子刻蚀 制作方法 掺ER 沉积速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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