张福民
- 作品数：15 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
- 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳...
- 于伟东王曦张继华张福民柳襄怀
- 文献传递
- 类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制被引量：11
- 2002年
- 采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管。
- 冯涛茅东升李炜柳襄怀王曦张福民李琼徐静芳诸玉坤
- 关键词：类金刚石薄膜场发射显示器
- 一台新型的宽束离子束混合装置被引量：1
- 1991年
- 本文描述了材料表面改性或优化的新型宽束离子束混合装置。系统含有引出离子不同能量范围的三种离子源。可用于单离子注入,离子束混合,单离子或反应离子束溅射淀积以及离子束增强淀积。它装备有大的水冷却台,可进行各种复杂的运动,以满足处理各种复杂形状的大的工件的需要。本文还对该机的两种使用实例做了介绍。
- 孙义林张玉春曹德福张福民陈酉善
- 关键词：离子束混合离子注入
- 镀铂栅极抑制电子发射性能研究被引量：2
- 2005年
- 利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能。采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征。实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理。
- 蒋军江炳尧任琮欣张福民冯涛王曦柳襄怀邹世昌
- 关键词：电子发射离子束辅助沉积钼栅极
- 电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性
- 2003年
- 采用ta-C薄膜用于SOI结构中的绝缘层,在高温高功率器件中有很大的应用潜力。应用真空磁过滤弧源沉积(FAD)的方法制备了ta-C薄膜。通过AFM、non-RBS、IR、I-V、C-V等方法对薄膜的表面形貌、微观结构和电学性能进行了研究。研究表明,ta-C薄膜的sp^3键含量高达87％,且具有很高的表面光洁度(粗糙度低于0.5nm)及较好的电绝缘性能,击穿场强达到4.7MV/cm。
- 宋朝瑞俞跃辉邹世昌张福民王曦
- 关键词：微观结构电学特性电绝缘性能SOI
- 离子束增强沉积Si_3N_4/Si多层红外干涉滤波薄膜
- 1997年
- 利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明，N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74～1.
- 江炳尧张福民孙义林陈酉善柳襄怀
- 关键词：离子束增强沉积
- 离子束辅助沉积铂膜的成型模具
- 本发明是离子束辅助沉积铂膜的成型模具，属于真空蒸发、溅射及离子注入膜层形成材料涂覆的技术领域，它是在成型模具基体上用离子束辅助沉积形成3—20微米的铂膜，用氮或惰性气体作为清洗和轰击离子源的放电气体，用惰性气体作为溅射离...
- 孙义林张福民陈酋善牟海川
- 文献传递
- PEFAD法制备纳米结构碳材料初探
- 本文介绍了等离子体增强磁过滤沉积法的特点,特别强调它与其它制备纳米结构碳材料方法的不同.它采用了分立的碳源,避免了由于碳源中含有氢元素对研究其生长过程的影响,具有开发自主知识产权的制备纳米结构碳材料的方法的潜力.采用这种...
- 于伟东张福民张继华王曦
- 关键词：等离子体
- 文献传递
- 离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜被引量：9
- 2001年
- 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器（ＦＥＤ）的ＺｎＯ：Ｚｎ荧光薄膜采用ＲＢＳ、ＸＲＤ、 ＡＦＭ、 Ｈａｌｌ和 ＰＬ谱等手段表征了热处理前后的薄膜 ＲＢＳ结果表明薄膜中存在一定数量的过量 Ｚｎ．沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相，其表面形貌表现出多种结构 Ｈａｌｌ检测发现，升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度，说明过量Ｚｎ含量的下降；当热处理温度超过４００℃时，Ｈａｌｌ迁移率迅速上升，表明薄膜结晶性能的改善在 ＺｎＯ：Ｚｎ薄膜的 ＰＬ谱中检测到紫外／紫光、蓝／绿光两组荧光峰，一价氧空位（Ｖｏ）充当了蓝／绿光的发光中心薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大，可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量 Ｚｎ的蒸发。
- 李炜茅东升张福民王曦柳襄怀邹世昌诸玉坤李琼徐静芳
- 关键词：荧光薄膜光致发光场发射显示器离子束溅射
- 一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
- 本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳...
- 于伟东王曦张继华张福民柳襄怀
- 文献传递
