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闫江

作品数:185 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信文化科学化学工程理学更多>>

领域

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主题

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  • 38个堆叠
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  • 29个氮化硅

机构

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  • 1个华进半导体封...

资助

  • 27个国家自然科学...
  • 25个国家科技重大...
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传媒

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地区

  • 56个北京市
  • 4个贵州省
60 条 记 录,以下是 1-10
唐波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐兆云
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 空腔 集成度 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许静
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 隧道结 磁矩 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春龙
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 刻蚀 掩模 粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王红丽
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 集成度 刻蚀 埋氧层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨萌萌
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 集成度 衬底 半导体材料 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈邦明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 集成度 半导体材料 衬底 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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