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谭开洲

作品数：134 被引量：103H指数：6
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘玉奎
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
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王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 采样开关 模数转换器 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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