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张廷庆

作品数：32 被引量：55H指数：4
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刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵元富
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 电路 电离辐射 电离辐照 F
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王剑屏
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司
研究主题：碳化硅 MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘传洋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建军
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：多晶硅栅 FDMA QPSK调制解调 BF 电磁散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 测试系统 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭宏论
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚育娟
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：MOS器件 总剂量效应 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐娜军
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：辐照 电子系统 MOS器件 辐照效应 阈值电压漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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