王剑屏
- 作品数：13 被引量：73H指数：6
- 供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- SiC新型半导体器件及其应用被引量：16
- 2002年
- 给出SiC半导体分立器件与集成电路的研究现状 ,分析了制约SiC半导体器件发展的主要问题 ,同时给出了SiC分立器件与集成电路的应用现状 ,并对其应用前景进行了展望 .
- 张进城郝跃赵天绪王剑屏
- 关键词：集成电路碳化硅半导体器件
- BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究被引量：9
- 1999年
- 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ
- 张廷庆刘家璐李建军王剑屏张正选徐娜军赵元富胡浴红
- 关键词：PMOSFETMOS器件离子注入硅栅
- 90nm pMOSFET脱耦等离子体制备氮氧化硅的负偏压温度失稳性(英文)
- 2005年
- MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流。为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视。然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性。在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MVcm的电场1h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差。在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16V,可以符合90nm工艺1V特操作电压的安全范围内。
- 廖金昌王剑屏赵晓玲廖森陈昱升
- 关键词：PMOSFET等离子体氮化氮氧化硅氧化层厚度MOSFET器件
- SiC单片集成电路工艺技术
- 2000年
- 对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论 ,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响 .介绍了工作于 5V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术 .
- 王剑屏郝跃彭军
- 关键词：碳化硅集成电路
- ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展被引量：6
- 2005年
- 随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要.分析和比较了铜互连关键工艺,叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展,对铜互连基本可靠性单元进行了讨论,指出现在仍然存在的问题,并给出了解决这些关键技术可能的方法.
- 郝跃邵波涛马晓华韩晓亮王剑屏
- 关键词：铜互连
- 碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究被引量：4
- 2002年
- 讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义 ,同时在表面发现直径为 1～ 10 μm的六角形缺陷 .对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析 ,并对缺陷产生的机理进行了探讨 ,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源 .
- 王剑屏郝跃彭军朱作云张永华
- 关键词：碳化硅衬底
- 蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究被引量：2
- 2002年
- 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。
- 王剑屏郝跃彭军朱作云张永华宋国乡
- 关键词：反应机理化学汽相淀积汽相外延
- 蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜材料技术研究
- SiC作为目前最热门的宽带隙半导体材料之一,在微电子应用领域存在广泛的应用前景.该论文主要讨论了蓝宝石衬底上异质外延碳化硅单晶外延层的研究工作,对碳化硅外延层材料衬底以及缓冲层选择、外延工艺、化学气相淀积理论、以及缺陷等...
- 王剑屏
- 关键词：碳化硅
- 文献传递
- 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应被引量：13
- 2000年
- 研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .
- 王剑屏徐娜军张廷庆汤华莲刘家璐刘传洋姚育娟彭宏论何宝平张正选
- 关键词：Γ辐照温度效应
- 低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：7
- 2002年
- 对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电荷 (包括空穴和氢离子 )的运动状态 ;此外 ,偏置对退火同样有促进作用。
- 刘传洋张廷庆刘家璐王剑屏黄智徐娜军何宝平彭宏论姚育娟王宝成
- 关键词：MOS器件辐照效应阈值电压漂移低剂量率
