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方胜

作品数:1 被引量:1H指数:1
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王军贤
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT HEMT 单片低噪声放大器 低噪声放大器 KA波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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