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姜磊

作品数:8 被引量:11H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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主题

  • 16个刻蚀
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  • 8个单片集成
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 21个北京市
  • 1个广东省
22 条 记 录,以下是 1-10
王良臣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 大功率
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白云霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:干法刻蚀 自对准 电子束曝光 可调谐光滤波器 移植性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 锗 SI基 锗硅 探测器
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左玉华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 钙钛矿 锗 探测器 调谐
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
成步文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 锗 光电探测器 探测器 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构:华为技术有限公司
研究主题:FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马朝华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INGAASP/INP 激光器 MQW 低阈值 DFB激光器
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蔡晓
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:FABRY-PEROT滤波器 窄带 调谐 滤波器 可调谐
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高俊华
供职机构:北京邮电大学
研究主题:GAAS 激光器 DBR 选择性湿法刻蚀 垂直腔面发射激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余金中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SOI 光开关 硅基 波导 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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