王静
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
- 2001年
- 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代
- 郭维廉毛陆虹李树荣郑云光王静吴霞宛
- 关键词：混合模式晶体管
- 基于仿射包和伪Zernike矩的视频人脸检索被引量：1
- 2012年
- 近年来基于视频的人脸检索已成为人脸识别和检索领域最为活跃的研究方向之一。提出了一种基于仿射包结合伪Zernike矩特征的视频人脸检索算法(FRIVAP)。在视频中检测跟踪到人脸生成图像集,接着提取图像集中人脸的伪Zernike矩特征,建立特征的仿射包,通过相似度计算得到结果。经对Honda/UCSD视频数据库和自行构建的视频数据库的大量实验表明,该算法可以充分利用视频中人脸的时间和空间信息,并且对噪声、人脸姿势变化等条件下的人脸检索有较强的鲁棒性。
- 苏育挺王静冀中
- 关键词：人脸识别伪ZERNIKE矩
- SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟被引量：1
- 2002年
- 提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。
- 李树荣刘真张生才王静郭维廉郑云光陈培毅
- 关键词：SOI结构混合模式晶体管SOIMOSFET
