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张伟

作品数:10 被引量:4H指数:1
供职机构:扬州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇光学
  • 3篇负热膨胀
  • 3篇ZNS
  • 2篇钨酸锆
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米带
  • 2篇纳米线
  • 2篇拉曼
  • 2篇PL谱
  • 1篇电性质
  • 1篇性能研究
  • 1篇一维纳米
  • 1篇应力
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇透射
  • 1篇透射率

机构

  • 10篇扬州大学
  • 3篇江苏大学
  • 2篇江海学院

作者

  • 10篇张伟
  • 6篇曾祥华
  • 5篇卢俊峰
  • 3篇刘红飞
  • 3篇陈小兵
  • 3篇程晓农

传媒

  • 2篇中国物理学会...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇信息技术
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于改进Yolov4的服务器部件检测算法
2021年
服务器部件检测是智能产线装配过程的重要环节。目前,服务器装配的检测步骤主要还是以人工为主,针对传统人工检测存在的工作效率低、耗时长等问题,文中提出了基于Yolov4改进的深度学习模型;文中的主要创新点是在Yolov4模型中使用新的特征融合方法以及使用损失函数加权方式约束权重和偏置的更新走向,进一步提升性能的同时解决了目标检测数据不平衡问题;文中模型在测试准确率达到99.85%的情况下推理速度为40Fps,有效地提升了服务器装配产线的检测精度。
张伟王梦实李扬
ZnS纳米结构的制备及光学性质研究
S作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表现出与块体材料不同的特征,已引起了广泛的关注.
曾祥华张伟卢俊峰
关键词:ZNS纳米线纳米带
脉冲激光沉积ZrW_2O_8薄膜的制备和性能被引量:3
2011年
采用脉冲激光沉积法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究了不同衬底温度对薄膜结构组分、表面粗糙度和形貌的影响,用台阶仪和分光光度计测量薄膜的厚度和不同衬底温度下制备薄膜的透射曲线,用变温XRD分析了ZrW2O8薄膜的负热膨胀特性.实验结果表明:在衬底温度为室温、550℃和650℃下脉冲激光沉积的ZrW2O8薄膜均为非晶态,非晶膜在1200℃保温3min后淬火得到立方相ZrW2O8薄膜;随着衬底温度的升高,ZrW2O8薄膜的表面粗糙度明显降低;透光率均约为80%,在20~600℃温度区间内,脉冲激光沉积制备的ZrW2O8薄膜的负热膨胀系数为-11.378×10-6 K-1.
刘红飞张志萍张伟陈小兵程晓农
关键词:钨酸锆脉冲激光沉积负热膨胀透射率
ZnS一维纳米材料的制备及光学性质研究
S 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米带表现出与块体材料不同的光电特性...
卢俊峰曾祥华张伟
关键词:ZNS纳米线纳米带PL
PLD法制备ZnS薄膜及其发光性能研究
S是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72~3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但其发光机制尚缺乏系统性的理论基础.脉冲激光沉积法(PLD)具有沉积速率快、能保持...
张伟曾祥华卢俊峰
Al_2Mo_3O_(12)的制备及其负热膨胀性能研究
2011年
以分析纯Al2O3和MoO3为原料,采用固相法制备出负热膨胀材料Al2Mo3O12陶瓷。利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)对样品的成分、断面形貌和微观结构进行分析;利用变温拉曼光谱仪、差示扫描量热仪(DSC)和热机械分析仪(TMA)对样品的相变温度和热膨胀特性进行分析。实验结果表明:在750℃烧结12 h产物为纯度较高的单斜相Al2Mo3O12陶瓷,其断面的晶粒呈不规则的多边形、排列致密,晶粒均匀、大小约为30μm;相变点为202℃,低频声子模和高频光学声子模对负热膨胀都有贡献。在230~700℃其平均热膨胀系数为-1.918×10-6/℃,700~900℃的平均热膨胀系数为-4.6×10-5/℃。
张伟刘红飞陈小兵程晓农
关键词:负热膨胀固相反应法拉曼光谱TMA
ZnS∶Mn/GaN薄膜实现可调的蓝光和橙色光发射
利用脉冲激光沉积技术在氮化镓外延衬底上沉积了Mn掺杂ZnS薄膜.XRD分析表明制备的薄膜具有闪锌矿结构,且沿(111)方向择优生长.电镜的分析显示制备的薄膜随着沉积温度和退火温度的升高,其纳米结晶颗粒逐渐增大,薄膜厚度约...
崔接亚曾祥华张伟
关键词:脉冲激光沉积PL谱
ZnS、CdS低维结构材料及其光学性质
采用不同的制备手段,并通过控制反应条件可以对低维结构的材料进行调控生长,得到尺寸几个纳米的量子点以及几十至几百纳米的纳米线、纳米带、纳米丝,得到在平面内同质的ZB/WZ的ZnS纳米带超晶格.这些不同的纳米结构,表现出不同...
曾祥华胡川卢俊峰张伟崔接亚
射频磁控溅射制备负热膨胀ZrW_2O_8薄膜的应力特性研究被引量:1
2011年
采用ZrW2O8陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在单晶硅基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜。用X射线衍射仪和热膨胀仪分析了靶材的成分和热膨胀性能;用X射线光电子能谱仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的组分及其表面形貌;用表面粗糙轮廓仪和薄膜应力分布测试仪测量了薄膜的厚度和应力。实验结果表明:制备的ZrW2O8靶材纯度高且具有良好的负热膨胀性能,磁控溅射沉积制备的ZrW2O8薄膜和靶材保持良好的化学成分一致性,且表面平滑、致密,在750℃热处理3 min后薄膜表面晶粒明显长大,并出现孔洞缺陷;衬底未加热时沉积制备的ZrW2O8薄膜选区应力差最小,应力分布最均匀,随着热处理温度和衬底温度的提高,由于薄膜和衬底的热膨胀系数的差异较大,薄膜选区内的应力差增加,薄膜应力分布不均性增大。
刘红飞张志萍张伟陈小兵程晓农
关键词:钨酸锆磁控溅射应力负热膨胀
硫化锌超晶格结构及其光电性质
利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石上衬底上交替沉积了ZnS/(CdS/ZnS)n(n=2,4,8),通过结构、形貌分析,100℃低温沉积的超晶格结构为六方相结构,其中ZnS和CdS层的厚度分别为30纳米和60纳米,透光率超过8...
曾祥华张伟卢俊峰
关键词:超晶格脉冲激光沉积拉曼谱PL谱
共1页<1>
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