曾祥华
- 作品数：93 被引量：162H指数：7
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省科技厅基金江苏省教委基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- GaN基LED的图形衬底优化研究
- 2013年
- 设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底(PSS),使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN LED器件,然后使用APSYS软件模拟计算出它们的光电特性。并且对方形图形衬底的刻蚀深度进行了优化,通过对模拟结果的比较得到刻蚀深度与边长的比值为0.4时,这种方形图形衬底GaN LED的光提取效率最高,且比平面衬底提高了20.13%。对阶梯状图形衬底的阶梯层数进行了比较,发现随着阶梯层数的增加,光提取效率也随着增加,阶梯状层数为5时,光提取效率比平面衬底提高了30.03%。并对方形PSS LED进行了实验验证。
- 范玉佩曾祥华顾长华刘宝琴王坚张乾
- 关键词：氮化镓发光二极管极化效应图形衬底光提取效率
- 大功率ODRLED性能研究
- 在现有工艺条件下通过简单工艺实现大功率GaN基多量子阱ODRLED的研制,并对试制LED样品进行了光学、电学和色参数三个方面性能测试.测试结果发现,ODR外延片比普通外延片的光强提高了244 mcd,极大提高了发光强度；...
- 董雅娟张俊兵金豫浙林岳明陈海涛曾祥华
- 关键词：发光二极管ODR大功率GAN
- ZnS结构相变、电子结构和光学性质的研究被引量：7
- 2013年
- 运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对闪锌矿结构(ZB)和氯化钠结构(RS)ZnS的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机理.结果表明:通过状态方程得到ZB相到RS相的相变压强值为18.1GPa,而利用焓相等原理得到的相变压强值为18.0GPa;在结构相变过程中,sp3轨道杂化现象并未消失,RS相ZnS的金属性明显增强;与ZB相ZnS相比,RS相ZnS的介电常数主峰明显增强,并向低能方向出现了明显偏移,使得介电峰向低能方向拓展,在低能区电子跃迁大大增强.
- 李建华崔元顺曾祥华陈贵宾
- 关键词：硫化锌电子结构光学性质
- GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化被引量：3
- 2011年
- 基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管(LED)的I-V特性、光强和内量子效率(IQE)的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱(MQW)参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时,电压降低了18.43%,光强增加了11.46%,红移现象减小了5 nm。研究结果可为LED芯片的应用设计提供参考。
- 雷亮曾祥华范玉佩张勇
- 关键词：光谱强度
- 不同电极形状GaN基蓝光LED的γ辐照效应
- 2013年
- 通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电极的抗辐射性能较好;随着辐照剂量的增加,环形电极的工作电压明显高于3种新型电极,而且辐照后环形电极的主波长和峰值波长红移现象明显,光通量和发光效率衰减更加明显;老化实验得知γ辐照后新型电极的寿命优于环形电极;通过对发光二极管(LED)芯片的电极进行优化,不仅可以减少电流的拥挤效应,而且可提升芯片的抗辐射性能,延长LED器件的使用寿命.
- 王秀茜卢俊峰董雅娟张俊兵宋雪云曾祥华
- 关键词：GAN基发光二极管Γ辐射
- 一氧化硅四聚体的结构、振动频率和光谱研究被引量：2
- 2008年
- 运用Gaussian03软件,通过量子化学HF,B3LYP和MP2方法,选用6-311G*基组对立方状、平面环状和折叠环状一氧化硅四聚体(Si4O4)的几何构型、稳定性、电子结构和振动频率等性质进行研究,部分结果与实验吻合,振动也与群论方法分析结果一致.研究表明:平面环状结构不是稳定结构,Si4O4存在Td群对称性的立方状和D2d群对称性的折叠环状两种结构,折叠环状结构能量更低,更稳定;两种结构均有微弱共价键,属绝缘体.
- 张萱曾祥华郭云徐秀莲
- 关键词：几何构型振动频率光谱
- AlGaInP LED出光效率的模拟被引量：3
- 2009年
- 采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况,并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出光效率。研究发现,随着窗口层厚度的增加,顶面出光效率有所下降,侧面出光效率大大提高,总出光效率呈上升趋势,且总出光效率的最高分布区从芯片的四个直角区域向中央圆形电极边缘靠近。然而,随着芯片尺寸的增加,其变化趋势正好与之相反。在此基础上进一步对普通生产芯片进行模拟分析,得知其光提取效率最高区主要分布在芯片的四个直角区域,并以此为指导进行不透明电极形状的优化,进而对其条形电极的宽度进行优化,可使所获得的出光效率比传统圆形电极提高了62.85%,能够为实际生产提供一定的理论指导。
- 林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：ALGAINPLED出光效率有限元法
- 基于工程教育认证的微电子科学与工程专业毕业要求建设被引量：4
- 2018年
- 本文以工程教育认证为导向,制定适用于微电子科学与工程专业的本科学生毕业要求,支撑专业培养目标的达成。持续改进课程体系,以完善对毕业要求的支撑。
- 孟祥东周玉雪曾祥华
- 关键词：工程教育认证
- HfW_2O_8陶瓷的制备、相变特性及其负热膨胀性能(英文)
- 2014年
- 以分析纯的HfO2和WO3为原料,采用固相反应法制备立方相HfW2O8陶瓷.利用X射线衍射仪,场发射扫描电子显微镜和热机械分析仪对样品的物相组成、微观结构及相变和负热膨胀特性进行了表征.结果表明：1 200℃烧结6h后再经高温淬火可得到立方相HfW2O8陶瓷,其断面结构致密,晶粒呈方形,且具有良好的负热膨胀特性;在182.5℃发生α-HfW2O8到β-HfW2O8的相转变,相转变后HfW2O8陶瓷的热膨胀系数降低.通过高温XRD法计算得到α-HfW2O8热膨胀系数为 12.90×10-6K-1,β-HfW2O8的热膨胀系数为-10.09×10-6K-1.在25～600℃,其平均热膨胀系数为11.46×10-6K-1.受孔洞和微裂纹的影响,采用热机械分析仪测试得到的HfW2O8陶瓷宏观热膨胀系数比高温X射线衍射仪得到的稍小.
- 刘红飞王刚张志萍潘坤旻马健曾祥华
- 关键词：负热膨胀固相反应法
- 非线性响应对巨磁阻的影响被引量：1
- 2002年
- 从非线性Kubo公式出发 ,计算了磁三明治结构的巨磁阻效应。通过考虑电子运动垂直平面方向 ,自旋反射和界面处导电电子的散射作用 ,研究了电流在平面的巨磁阻量子效应 ,发现非线性效应在不同程度上影响巨磁阻效应。在零温附近 ,温度参数对巨磁阻影响很小 ,而外场偏压的影响相对较大。
- 陈红霞曾祥华毕桥
- 关键词：多层膜巨磁阻电子运动纳米磁性材料
