刘斌
- 作品数：13 被引量：30H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控共溅射法在玻璃衬底上制备出了Al与Sn共掺杂的ZnO(ATZO)薄膜。在固定ZnO∶Al(AZO)靶溅射功率不变的条件下,研究了Sn靶溅射功率对ATZO薄膜的结晶质量、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明,制备的ATZO薄膜是六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向,而且表面致密均匀。当Sn溅射功率为5W时,330 nm厚度的ATZO薄膜的电阻率最小为1.49×10-3Ω.cm,比AZO薄膜下降了22%。ATZO薄膜在400～900 nm波段的平均透过率为88.92%,禁带宽度约为3.62 eV。
- 刘斌沈鸿烈冯晓梅王威岳之浩吴天如
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射光电特性
- 硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响
- 2012年
- 采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例（B2H6/SiH4为2%-15%）的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能（电导率、载流子浓度、霍尔迁移率）之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜微结构和光电性能的影响。在掺杂比例为11%时成功获得了电导率为32 S/cm的高电导率硼掺杂nc-Si∶H薄膜。
- 潘园园沈鸿烈吴天如张磊刘斌
- 关键词：硼掺杂热丝化学气相沉积电导率
- 铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO_2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析。结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。
- 陈海力沈鸿烈张磊杨超刘斌
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
- 二步法制备太阳能电池吸收层材料SnS薄膜的研究
- 在玻璃衬底上溅射200 nm厚的Sn膜，然后在硫化炉中220℃分别硫化15、30、45、60 min形成SnS薄膜。采用X射线衍射，扫描电子显微镜，热探针和分光光度计测试等方法进行观察和分析测试。结果表明制备的SnS薄膜...
- 江丰沈鸿烈刘斌高超沈州
- 关键词：磁控溅射太阳能电池
- 文献传递
- 等离子体辅助铝诱导纳米硅制备多晶硅的研究被引量：1
- 2013年
- 以超白玻璃为衬底,利用热丝化学气相沉积和磁控溅射法制备了Glass/nc-Si/Al叠层结构,置入管式退火炉中进行等离子体辅助退火。样品在氢等离子体氛围下进行了400,425和450℃不同温度,5 h的诱导退火,用光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了性能表征。结果表明随着诱导温度升高,样品的Si(111)择优取向越来越显著;晶粒尺寸不断增大,在450℃诱导温度下获得了最大晶粒尺寸约500μm的连续性多晶硅薄膜,且该温度下薄膜晶化率达97%;薄膜的结晶质量也随着温度的升高而不断提高。样品经450℃诱导后的载流子浓度p为5.8×1017cm-3,薄膜霍尔迁移率μH为74 cm2/Vs。还从氢等离子体钝化的角度分析了等离子体环境下铝诱导纳米硅的机理。
- 方茹沈鸿烈吴天如张磊刘斌
- 关键词：纳米硅多晶硅薄膜
- 射频反应磁控溅射法制备N掺杂p型氧化亚铜薄膜被引量：5
- 2011年
- 通过射频反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备N掺杂的Cu2O薄膜,采用X射线衍射、分光光度计、X射线光电子能谱和霍尔效应等检测,研究了氮气掺杂对Cu2O薄膜性能的影响。结果表明:随着N原子的掺入,薄膜的结晶质量下降,光学带隙从2.28 eV升至2.47 eV左右,同时薄膜的电学性能趋于稳定。当N2/O2流量比率为0.6时,薄膜电阻率为1.5Ω.cm,空穴浓度为2.16×1019cm-3,霍尔迁移率为0.5 cm2.V-1.s-1。
- 林龙李斌斌鲁林峰沈鸿烈刘斌
- 关键词：氧化亚铜磁控溅射X射线光电子谱
- 射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究
- 2011年
- 利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测试表明,AZO/p-Si异质结具有较好的整流特性,反向饱和电流为1.29×10-6A,±2V处的正向和反向电流之比为229.41,计算得出异质结的理想因子为2.28。在标准光照下AZO/p-Si异质结呈现出明显的光生伏特效应,这种异质结太阳电池具有2.51%的光电转换效率。
- 刘斌沈鸿烈岳之浩江丰冯晓梅潘园园
- 关键词：射频磁控溅射I-V特性
- 聚吡咯/石墨烯复合气凝胶的制备及吸波性能研究
- 采用软模板的方法制备了聚吡咯纳米棒（PNRs）,通过与氧化石墨烯（GO）共混化学还原自组装的方法制备了石墨烯/聚吡咯纳米棒复合气凝胶（GPAs）。利用红外（FT-IR）、拉曼（Raman）、X-射线衍射（XRD）、扫面电...
- 李金焕刘斌许艳芳任嘉慧
- 关键词：聚吡咯石墨烯气凝胶
- 文献传递
- 基于多孔硅层转移技术的异质结太阳电池
- 研究了基于多孔硅层转移技术的a-Si/c-Si 异质结太阳电池.先后利用LPCVD和HWCVD 在已退火的双层多孔硅上生长晶硅薄膜和非晶硅层.采用SEM、Raman、XRD微波光电导衰减测试、I-V 特性测试和量子效率测...
- 岳之浩沈鸿烈张磊刘斌高超吕红杰
- 关键词：HETEROJUNCTIONPOROUSSILICONTRANSFERDEPOSITIONDEPOSITIONSILICON
- 抛光铜箔衬底上石墨烯可控生长的研究被引量：9
- 2012年
- 本文报导以固态聚苯乙烯为碳源,经机械抛光和电化学抛光双重处理的铜箔为衬底,用CVD法进行石墨烯可控生长的研究结果。用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光透射谱、扫描隧道显微镜和场发射扫描电镜对生长的石墨烯进行了表征。研究发现经过抛光处理的铜箔由于其平整的表面和很低的表面粗糙度,在其上生长的石墨烯缺陷少,结晶质量高。而未经抛光处理的铜箔在石墨烯生长过程中,铜箔不平整的表面台阶会破坏其上生长的石墨烯的微观结构,在生长的石墨烯二维结构中产生高密度晶界和缺陷。还在双重抛光处理的铜箔上实现了石墨烯的层数可控生长,结果表明固态碳源聚苯乙烯的量为15 mg时可生长出单层石墨烯,通过控制固态源重量得到了1～5层大面积石墨烯。
- 孙雷沈鸿烈吴天如刘斌蒋烨
- 关键词：机械抛光电化学抛光石墨烯
