张涛
- 作品数：10 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划国家高技术研究发展计划国家科技部农业科技成果转化资金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺农业科学一般工业技术更多>>
- NbN沉积膜的抗腐蚀特性研究被引量：2
- 2002年
- 利用磁过滤等离子体沉积技术在单晶Si和碳钢衬底上生长一层NbN沉积膜 ,用XPS ,XRD和SEM对膜层进行测量和分析 ,结果表明 ,沉积膜为δ NbN ,沉积膜的质量与样品的衬底温度有关 ,衬底温度越高 ,生成的膜越致密 ,膜的表面越平整光滑。多次循环阳极极化扫描曲线测量表明 ,沉积膜样品的致钝电流密度 (Ip)较碳钢降低 (1～ 2 )个数量级 ,抗腐蚀性能大幅度提高。
- 李永良宋教花张涛
- 关键词：NBN抗腐蚀性
- 钇离子束动态增强沉积氮化钛膜被引量：1
- 2002年
- 在膜层上接收注入钇离子和沉积钛原子比例Y+ :Ti=1:12的条件下 ,采用钇离子束动态增强沉积方法 ,在纯铁等基体上制备氮化钛膜层试样。对试样予以电化学测试和AES、XRD分析。XRD结果未发现钇单质或氮化钇的衍射峰。载能金属离子的动态增强沉积作用产生了界面混合效果 ,形成较宽的过渡层。动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力。
- 张涛侯君达李国卿
- 关键词：表面改性金属抗蚀性能
- 阴极真空弧源磁过滤弯管偏压模式研究被引量：1
- 2002年
- 为了改进阴极真空弧等离子体通过磁过滤弯管的传输效率 ,测定了磁过滤弯管出口离子电流与阴极弧流的关系。结果表明 :磁过滤弯管内表面中 ,靠近大径中心一侧的表面 (内侧面 )和远离大径中心一侧的表面 (外侧面 )与等离子体的相互作用是独立的。存在两种向磁过滤弯管内表面运动的离子流 :离子碰撞导致的横向扩散离子流和从阴极弧出来的较高能量的惯性离子流。两种离子流通过磁过滤管的传输过程有不同的机制。整个磁过滤弯管偏压较仅仅Bilek板偏压有更高的离子传输效率 ,Bilek板偏压对磁过滤弯管离子传输起主要作用。
- 张涛张涛张荟星朱剑豪
- 关键词：等离子体源
- 磁过滤的阴极弧等离子体源及其薄膜制备被引量：1
- 2002年
- 采用磁过滤弯管滤除阴极弧等离子体中的大颗粒,研究了偏压和导向磁场对磁过滤弯管传输效率的影响。建立了磁过滤弯管中正交电场和磁场下的等离子体扩散模型,分析各个参数对等离子体传输的作用规律。采用磁过滤的阴极弧等离子体源制备了NbN膜,研究了沉积温度对膜层特性的影响。
- 张涛侯君达刘志国张一聪
- 关键词：扩散
- 低能C^+注入对花生M_3代抗旱性能影响的试验研究被引量：3
- 2007年
- 以农花5号花生为试材,研究4种注量的低能C+对农花5号M3代抗旱性能的影响。通过田间小区试验对M3代主茎高、侧枝长、叶片失水率等指标进行观测,运用直接评价、间接综合评价以及聚类分析方法对M3代抗旱性能进行分析。结果显示:适宜剂量的低能C+注入能够明显改变花生M3代的抗旱能力,本试验中,C+剂量为1015cm-2时,花生M3代的抗旱性显著强于对照;剂量1012cm-2,M3代的抗旱性略有增强;而1011cm-2和1016cm-2剂量条件下抗旱性与对照相比差异不大。因此,低能C+注入可以改变花生品性,是获得优质种子资源的一种有效方法。
- 徐磊杨培岭任树梅张涛韩玉国
- 关键词：花生抗旱性
- 金属等离子体浸没动态离子束增强沉积被引量：1
- 2000年
- 采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没动态离子束增强沉积系统 ,对 30 4L不锈钢进行金属等离子体浸没动态离子束增强沉积处理 .对试样予以电化学测试和AES分析 .动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力 .
- 张涛侯君达张孝吉张荟星朱剑豪田修波曾照明
- 关键词：表面改性
- 金属等离子体浸没离子注入技术合成NbN膜被引量：4
- 2000年
- 利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬度 >16 .0MN·mm- 2 .
- 宋教花张涛侯君达邓志威
- 关键词：氮化铝离子注入表面处理
- 光与电子之间能量交换的一个诱因被引量：1
- 2009年
- 运用电子云导体模型分析了光与真空中自由电子之间相互作用,分析结果与已有理论一致.结合电子云导体模型对下列情况的分析:氮分子在飞秒强激光作用下的电离、X射线与分子中电子的作用等,可以说明光与电子之间确实存在电磁感应相互作用,光与电子间能量交换的根源之一是它们之间的电磁感应相互作用.
- 张涛
- 关键词：电磁感应
- 阴极弧等离子体沉积NbN薄膜被引量：1
- 2001年
- 利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程中基底温度对 Nb N膜层的影响。温度升高使膜层中 N的含量先呈上升趋势 ,随后又稍微降低 ;温度升高促进晶粒生长 ,使晶粒尺寸变大 ,从室温到约 30 0℃的温度下得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,5 0 0℃的沉积温度下 ,(2 2 0 )峰变的很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,5 0 0℃时膜层中得到单一的 δ- Nb N相 ;表面形貌方面 ,温度越低 ,薄膜越不完整 ,在 5 0 0℃左右才能得到光滑完整的 Nb N膜。与非增强沉积相比 ,增强沉积不需加热 ,在低温下就能得到光滑致密的 Nb N膜 ,膜层中 N的含量更高 ,且没有明显的择优取向。
- 宋教花张涛侯君达邓志威李永良
- 关键词：温度硅
