侯君达
- 作品数：8 被引量：24H指数：3
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市科技新星计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 沉积温度对NbN膜层微观结构的影响被引量：3
- 2001年
- 利用有磁过滤器的等离子体沉积装置 ,在不同温度的Si基底上沉积氮化铌 (NbN)薄膜 ,通过XRD ,XPS ,SEM等分析 ,研究了NbN薄膜的表面形貌与微观结构跟温度的关系 .发现沉积温度对择优取向有较强的影响 :从室温到约 30 0℃得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,50 0℃ (2 2 0 )峰变得很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,但不明显 .同时 ,膜层中N和Nb的原子比先随温度的升高而升高 ,后稍有降低 .温度升高 ,δ NbN的晶粒变大 .室温到 30 0℃很难得到完整的NbN膜 ,而在 50 0℃得到的薄膜完整且光滑 ,膜层中得到单一的δ
- 宋教花张涛侯君达邓志威李永良马芙蓉
- 关键词：沉积温度微观结构择扰取向表面形貌基底温度
- 磁过滤的阴极弧等离子体源及其薄膜制备被引量：1
- 2002年
- 采用磁过滤弯管滤除阴极弧等离子体中的大颗粒,研究了偏压和导向磁场对磁过滤弯管传输效率的影响。建立了磁过滤弯管中正交电场和磁场下的等离子体扩散模型,分析各个参数对等离子体传输的作用规律。采用磁过滤的阴极弧等离子体源制备了NbN膜,研究了沉积温度对膜层特性的影响。
- 张涛侯君达刘志国张一聪
- 关键词：扩散
- 磁过滤弯管的金属等离子体传输研究被引量：8
- 2000年
- 测定了磁过滤弯管出口离子电流与阴极弧流的关系 .磁过滤弯管内表面中 ,靠近大径中心一侧的表面 (内侧面 )和远离大径中心一侧的表面 (外侧面 )与等离子体的相互作用是独立的 .整个磁过滤弯管偏压较仅仅Bilek板偏压有更高的离子传输效率 .
- 张涛侯君达张荟星张孝吉
- 关键词：等离子体
- 钇离子束动态增强沉积氮化钛膜被引量：1
- 2002年
- 在膜层上接收注入钇离子和沉积钛原子比例Y+ :Ti=1:12的条件下 ,采用钇离子束动态增强沉积方法 ,在纯铁等基体上制备氮化钛膜层试样。对试样予以电化学测试和AES、XRD分析。XRD结果未发现钇单质或氮化钇的衍射峰。载能金属离子的动态增强沉积作用产生了界面混合效果 ,形成较宽的过渡层。动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力。
- 张涛侯君达李国卿
- 关键词：表面改性金属抗蚀性能
- 金属等离子体浸没动态离子束增强沉积被引量：1
- 2000年
- 采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没动态离子束增强沉积系统 ,对 30 4L不锈钢进行金属等离子体浸没动态离子束增强沉积处理 .对试样予以电化学测试和AES分析 .动态增强沉积试样比非增强沉积试样有更强的抗电化学腐蚀能力 .
- 张涛侯君达张孝吉张荟星朱剑豪田修波曾照明
- 关键词：表面改性
- MEVVA源金属离子注入和金属等离子体浸没注入被引量：6
- 2000年
- MEVVA源金属离子注入技术和金属等离子体浸没注入技术MePIII的共同特性是强流金属离子注入。它们各具长处，相互补充，共同发展。前者因无鞘层重叠问题和其方向强的特点，特别适用于小件、简单件的大批量金属离子注入处理，能保证处理的均匀性和高效率。后者因无视线加工限制并克服了保持剂量问题，特别适用于处理体积较大、形状复杂的工件，能保证工件所有暴露表面的加工均匀性，调整工作参数，还能进行金属膜沉积和各种沉积/注入比例的动态增强沉积金属、合金及化合物膜制备。综述上述二者的开发、工作原理、材料表面改性研究和工业应用新进展。
- 张涛侯君达
- 阴极弧等离子体沉积NbN薄膜被引量：1
- 2001年
- 利用磁过滤等离子体沉积装置 ,结合金属等离子体沉积技术 ,在 Si基底上分别用动态离子束增强沉积和非增强沉积的方法来制备 Nb N膜 ,对二者予以比较 ,并探讨了非增强沉积过程中基底温度对 Nb N膜层的影响。温度升高使膜层中 N的含量先呈上升趋势 ,随后又稍微降低 ;温度升高促进晶粒生长 ,使晶粒尺寸变大 ,从室温到约 30 0℃的温度下得到的薄膜在 (2 2 0 )峰表现出很强的择优取向 ,5 0 0℃的沉积温度下 ,(2 2 0 )峰变的很弱 ,(2 0 0 )峰表现出择优取向 ,5 0 0℃时膜层中得到单一的 δ- Nb N相 ;表面形貌方面 ,温度越低 ,薄膜越不完整 ,在 5 0 0℃左右才能得到光滑完整的 Nb N膜。与非增强沉积相比 ,增强沉积不需加热 ,在低温下就能得到光滑致密的 Nb N膜 ,膜层中 N的含量更高 ,且没有明显的择优取向。
- 宋教花张涛侯君达邓志威李永良
- 关键词：温度硅
- 金属等离子体浸没离子注入技术合成NbN膜被引量：4
- 2000年
- 利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬度 >16 .0MN·mm- 2 .
- 宋教花张涛侯君达邓志威
- 关键词：氮化铝离子注入表面处理
