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王理文

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇制作方法
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇光学元件
  • 1篇导体
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电阻率
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模版
  • 1篇掩膜
  • 1篇射频源
  • 1篇数据传输
  • 1篇数据传输线
  • 1篇套刻
  • 1篇透镜
  • 1篇偏压
  • 1篇微透镜
  • 1篇模版

机构

  • 4篇中国航空工业...

作者

  • 4篇王理文
  • 3篇姚官生
  • 3篇司俊杰
  • 3篇吕衍秋
  • 2篇丁嘉欣
  • 2篇侯治锦
  • 2篇张向锋
  • 2篇陈洪许
  • 2篇耿东锋
  • 2篇韩德宽
  • 1篇曹先存
  • 1篇张国栋
  • 1篇李龙
  • 1篇张亮
  • 1篇沈祥伟
  • 1篇彭震宇

传媒

  • 1篇航空兵器

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
文献传递
一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
文献传递
半导体薄膜材料低温电阻率测试设备
本发明属于半导体材料测试技术，涉及一种半导体薄膜材料低温电阻率测试设备，其包括基座、测温二极管、支架、管套、密封胶圈、密封接头、数据传输线、保护管以及A/D转换器、计算机系统和恒流源。其中，整个基座包括样品被固定在支架内...
曹先存彭震宇吕衍秋姚官生张亮沈祥伟王理文李龙
感应耦合等离子体刻蚀InSb时偏压射频源功率的选取被引量：2
2012年
以CH4/H2/Ar为刻蚀气体,对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)刻蚀。研究了不同偏压射频源(RF)功率对InSb的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度以及InSb与SiO2的刻蚀选择比的影响,得到了ICP刻蚀InSb时的一个优选的偏压射频源功率值。结果表明:当偏压射频源功率为150 W,ICP功率为800 W,反应室压力为1.0 Pa,CH4/H2/Ar的体积流量比为3/10/1时,InSb的刻蚀速率可达90 nm/min,刻蚀表面的平均粗糙度(Ra)约为6.1 nm,InSb与SiO2的刻蚀选择比约为6。
王理文司俊杰张国栋
关键词：感应耦合等离子体刻蚀速率
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