司俊杰
- 作品数：88 被引量：136H指数：7
- 供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金航天科技创新基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术理学一般工业技术更多>>
- 有机—无机杂化钙钛矿薄膜的可控制备及其在溶液工艺发光二极管中的应用
- 有机-无机杂化钙钛矿材料是一种可通过低温溶液工艺制备的直接带隙半导体材料。与其它可通过溶液加工工艺得到的半导体材料相比,它具有宽光谱吸收、长载流子扩散距离和高载流子迁移率等优异的光电性能,非常有潜力成为新一代太阳能电池材...
- 司俊杰
- 关键词：发光二级管荧光量子效率色纯度
- 文献传递
- PbS薄膜表面黑点物质属性测定与显微结构
- 本文介绍了PbS薄膜化学沉淀高温敏化的制备方法及原理,深入分析了基片沉淀过程中表面出现黑点现象的原因,黑点物质属性的测定以及避免薄膜表面出现黑点的新的工艺方法。
- 陈凤金司俊杰
- 关键词：PBS化学沉淀
- 文献传递
- 大面积PbS光导薄膜制备工艺优化被引量：7
- 2007年
- 对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性。由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀度由改进前的±50%减小为±25%。
- 司俊杰万海林陈湘伟陈凤金黄战利张庆军孙维国
- 关键词：红外探测器PBS光电响应均匀性
- 高精度多台阶微透镜阵列的制作方法
- 本发明涉及一种高精度多台阶微透镜阵列的制作方法,该方法首先在基底上等间隔制作出初始深度的台阶；然后再在各初始深度的台阶上、以及各台阶之间的间隔上，进行刻蚀，形成设定深度的台阶，本方法不但对操作者和操作设备的制作精度要求相...
- 侯治锦司俊杰陈洪许吕衍秋王巍韩德宽
- 文献传递
- 一种探测器串音测试装置、其制作方法及串音测试方法
- 本发明提供了一种探测器串音测试装置、其制作方法及串音测试方法，在基片上制作至少一个最小单元图形，所述最小单元图形包括中心探测单元和设置在中心探测单元周围的外围探测单元，外围探测单元为不透光，中心探测单元为透光；将制作好的...
- 侯治锦司俊杰王巍鲁正雄
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- 硅基量子点的制备及其发光特性被引量：3
- 1997年
- 硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向。这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体材料具有非直接带隙的特点，其发光效率很低，所以利用硅基低维量子结构，尤其是量子点结构提高硅基材料的发光性能一直是国内外本领域的一个研究特点。本文对近年来硅基量子点的制备及发光特性研究所取得的进展和结果进行了总结和评述。
- 司俊杰杨沁清王启明
- 关键词：半导体材料硅量子点发光
- 红外探测器阵列及其制作方法
- 本发明公开了一种红外探测器阵列及其制作方法。该探测器阵列包括n型InSb衬底(1)和钝化层(7)，n型InSb衬底(1)上刻蚀有t×t个台面(2)，t为整数且t≥1；台面(2)上部淀积有阳极(5)，n型InSb衬底(1)...
- 杨翠张延涛马京立陈园园陈晓冬孟超张小雷毛维吕衍秋司俊杰
- 文献传递
- 化学沉淀PbS光导薄膜响应均匀性的改进
- 对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性。由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀性由改进前的±50%减小为±25%。
- 司俊杰万海林陈湘伟陈凤金黄战利张庆军孙维国
- 关键词：红外探测器PBS光电响应均匀性
- 文献传递
- 用于识别面阵探测器相连缺陷元的新型光学滤光片（英文）
- 2018年
- 相连缺陷元识别一直是面阵探测器研究难点。面阵探测器相连缺陷元的光电信号与正常元基本相同,因此采用现有面阵测试方法无法识别相连缺陷元。提出了一种新型光学滤光片来识别面阵探测器中的相连缺陷元。在提出的滤光片结构中,有两种不同透光率、且交错排列的阵列组成。采用该滤光片后,相连缺陷元的响应电压值是正常单元响应电压的50%,面阵探测器相连缺陷元可以被显著识别。
- 侯治锦傅莉傅莉司俊杰司俊杰吕衍秋
- 关键词：滤光片
- InSb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征研究被引量：3
- 2018年
- 通过基于正性光刻胶的不同像元尺寸铟柱阵列及器件制备,研究In Sb面阵探测器铟柱缺陷成因与特征.分别研制了像元尺寸为50μm×50μm、30μm×30μm、15μm×15μm的面阵探测器的铟柱阵列,并制备出In Sb面阵探测器,利用高倍光学显微镜和焦平面测试系统对制备的芯片表面形貌、器件连通性及性能进行了检测与分析.研究结果表明:当像元尺寸为50μm×50μm时,芯片表面形貌和器件连通性测试结果较好;随着像元尺寸减小,芯片表面会出现铟柱相连或铟柱缺失缺陷,器件连通性测试结果与表面形貌相吻合.铟柱相连缺陷是由光刻剥离时残留铟渣引起的铟相连造成;铟柱缺失缺陷是由光刻时残留光刻胶底膜引起的铟柱缺失造成.器件相连缺陷元的响应电压与正常元基本相同,缺失缺陷元的响应电压基本为0,其周围最相邻探测单元响应电压相比正常元增加了约25%.器件缺陷元的研究结果,对通过优化探测器制作水平提升其性能具有重要参考意义.
- 侯治锦傅莉傅莉司俊杰司俊杰吕衍秋
