李强
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硫化镉晶片抛光工艺研究被引量：3
- 2012年
- 研究了硫化镉(CdS)晶片Cd面的化学机械抛光(CMP)工艺。采用硅溶胶抛光液和NaClO氧化剂,分别使用聚氨脂和磨砂革抛光垫进行粗抛和精抛实验,并研究了氧化剂掺入量、抛光转速、抛光压力等工艺条件对CdS晶片表面质量的影响。结果表明,在抛光液中氧化剂体积分数为6%左右、抛光盘的转速为90～100 r/min、压强为55～60 g/cm2条件下可得到平整度较好、表面缺陷低、表面粗糙度低的高质量抛光表面。金相显微镜和微分干涉显微镜下观测抛光片表面无划痕、无桔皮产生,原子力显微镜测试得到抛光后CdS晶片Cd面的表面粗糙度值仅为0.385 nm。
- 孙涛李强
- HVPE法生长AlN薄膜材料被引量：2
- 2010年
- 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。
- 徐永宽李强程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹刘金鑫岳洋张峰
- 关键词：氮化铝载气蓝宝石衬底X射线衍射
- 镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
- 2016年
- 硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。
- 李强张颖武司华青练小正程红娟
- 关键词：单晶电学
- CdS籽晶扩大技术
- 2016年
- 采用物理气相传输(PVT)法制备大尺寸硫化镉(CdS)籽晶,通过调整源区与生长区温差进行了籽晶扩大实验,并进行了X射线衍射(XRD)、红外透过率和腐蚀坑密度等测试。研究表明,在15,10,5和2℃等不同温差条件下,均可实现CdS籽晶的扩展,扩展的晶体区域具有和初始籽晶相同的晶向,而且低温差利于获得更大的单晶扩展面积。当温差为5℃时,扩展出的CdS单晶的X射线衍射半高宽(FWHM)较小、红外透过率较高且腐蚀位错密度较低,表明此时晶体的质量较好;当温差增大为10℃和15℃时,蒸气过饱和度高、晶体生长速率大,导致晶体质量变差;当温差减小为2℃时,晶体生长驱动力不足,这容易形成不稳定的生长界面并导致晶体质量下降。
- 李强
- 关键词：单晶籽晶温差
- 温度对悬浮浆料黏度的影响
- 2013年
- 多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮浆料有着非常重要的作用,悬浮浆料由悬浮液和SIC切割微粉配制并长时间搅拌而成,性能优良的悬浮浆料兼有切削、黏滞、冷却3大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率,研究其特性对于科研生产意义重大,通过对悬浮液特性的研究,进而研究悬浮浆料对切割效果的影响,主要是温度对其的影响,说明在生产中,悬浮浆料要控制在适宜的黏度范围内,才能有效控制晶片质量。
- 李强马玉通杨士超
- 关键词：黏度
