岳洋
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- HVPE法生长AlN薄膜材料被引量：2
- 2010年
- 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。
- 徐永宽李强程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹刘金鑫岳洋张峰
- 关键词：氮化铝载气蓝宝石衬底X射线衍射
- HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
- 2012年
- 采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。
- 杨丹丹徐永宽程红娟张嵩李晖徐所成史月增刘金鑫岳洋张峰郝建民
- 关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射
