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何友琴

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信理学语言文字文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇标准
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字
  • 1篇理学

主题

  • 4篇质谱
  • 4篇离子
  • 4篇二次离子质谱
  • 3篇硅
  • 2篇硼
  • 1篇弹簧
  • 1篇导电
  • 1篇读出
  • 1篇压块
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结界面
  • 1篇沾污
  • 1篇正方形
  • 1篇质量数
  • 1篇质谱学
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓表面
  • 1篇谱学

机构

  • 7篇中国电子科技...
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 7篇马农农
  • 7篇何友琴
  • 4篇王东雪
  • 4篇陈潇
  • 2篇杨东海
  • 1篇章安辉
  • 1篇蔺娴

传媒

  • 1篇中国测试

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种二次离子质谱仪测试用样品架
本实用新型公开了一种二次离子质谱仪测试用样品架。样品架包括样品架基座、前挡片、背压块、固定螺丝和弹簧；前挡片开有十个大小相等的正方形方孔，分布均匀对称，前挡片焊接在样品架基座上；背压块通过固定螺丝固定在样品架基座上，弹簧...
马农农何友琴陈潇张鑫王东雪杨东海孙雪莲
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(l×10<u...
马农农何友琴丁丽
关键词：硅质谱学
超薄型SOI材料顶层硅和埋氧化层厚度的测量方法
本发明公开了一种超薄型SOI材料顶层硅和埋氧化层厚度的测量方法，首先取一片SOI晶片，利用X光电子能谱仪进行SOI材料成分测试，采用数据采集和离子溅射交替进行，记录SOI材料中各组分的含量随溅射时间的变化，从而获得样品各...
刘立娜刘兆枫马农农李雨辰何煊坤杨东海孙雪莲蔺娴何友琴
文献传递
紫外光激发下砷化镓表面特性研究
任殿胜马农农李雨辰何友琴章安辉
研究了砷化镓晶片在自然氧化条件下的表面特性，探讨了自然氧化层形成的反应机理和动力学过程，开展了紫外光激发下砷化镓表面氧化反应的研究，通过与砷化镓晶片表面的自然氧化层特性的对比，弄清了紫外光激发下氧化反应的机理，建立了反应...
关键词：
关键词：紫外光砷化镓
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料与异质结界面杂质分布的二次离子质谱测试方法
何友琴马农农牛栋华陈潇王东雪何烜坤郑风振
硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法
2016年
针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。
陈潇马农农何友琴王东雪
关键词：检测限
表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本文件适用于硼原子浓度范围1×1015 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单...
马农农何友琴陈潇 张鑫王东雪 李展平
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