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王东雪

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：理学文化科学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇标准
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 3篇质谱
  • 3篇离子
  • 3篇二次离子质谱
  • 1篇弹簧
  • 1篇导电
  • 1篇压块
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结界面
  • 1篇正方形
  • 1篇质量数
  • 1篇装载
  • 1篇检测限
  • 1篇硅材料
  • 1篇方孔
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇硅
  • 1篇硼
  • 1篇锑

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇马农农
  • 4篇王东雪
  • 4篇何友琴
  • 4篇陈潇
  • 1篇杨东海

传媒

  • 1篇中国测试

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种二次离子质谱仪测试用样品架
本实用新型公开了一种二次离子质谱仪测试用样品架。样品架包括样品架基座、前挡片、背压块、固定螺丝和弹簧；前挡片开有十个大小相等的正方形方孔，分布均匀对称，前挡片焊接在样品架基座上；背压块通过固定螺丝固定在样品架基座上，弹簧...
马农农何友琴陈潇张鑫王东雪杨东海孙雪莲
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料与异质结界面杂质分布的二次离子质谱测试方法
何友琴马农农牛栋华陈潇王东雪何烜坤郑风振
硅材料中锑杂质含量的二次离子质谱检测方法
2016年
针对二次离子质谱法测硅材料中锑杂质存在质量数干扰、实验结果不准确的问题,该文对排查干扰离子并消除干扰的方法进行研究。通过对相关样品进行二次离子质谱定量分析、深度剖析和全元素扫描分析,探究硅材料中锑杂质准确定量的最优检测方法。最终结果表明二次离子质谱法对硅中锑杂质浓度的检测限可低至1×1013atoms/cm3,相对标准偏差(RSD,n=10)为10.0%。研究结果对分析二次离子质谱检测中普遍存在的质量数干扰现象有参考价值,排查干扰离子的方法有广泛的适用性。
陈潇马农农何友琴王东雪
关键词：检测限
表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本文件适用于硼原子浓度范围1×1015 atoms/cm3~1×1020 atoms/cm3的单...
马农农何友琴陈潇 张鑫王东雪 李展平
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