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朱欢

作品数:2 被引量:8H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇电荷共享
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇预充电
  • 1篇温度系数
  • 1篇模数转换
  • 1篇开关电容
  • 1篇基准源
  • 1篇记忆效应
  • 1篇采样
  • 1篇充电
  • 1篇H

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇朱欢
  • 1篇徐双恒
  • 1篇陈华
  • 1篇王向展
  • 1篇张军
  • 1篇闫小艳
  • 1篇眭志凌
  • 1篇孙振亚

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
应用于模数转换的高精度带隙基准源被引量:8
2012年
设计了一种应用于模数转换的高精度带隙基准电压源和电流源电路,利用温度补偿技术,该电路能分别产生零温度系数的基准电压VEEF、零温度系数的基准电流IZVAV。仿真结果显示,采用标准0.18μmCMOS工艺,在室温27℃和2.8V电源电压的条件下,电路工作频率为10Hz和1kHz时,电源抑制比(PSRR)分别为-107dB和-69dB,‰F及IZTAT的温度系数分别是20.6×10-6/℃和40.3×10-6/℃,功耗为238uw,可在2.4~3.6V电源电压范围内正常工作。
朱欢王向展张弛闫小艳
关键词:模数转换带隙基准源电源抑制比温度系数
基于预充电和双采样技术的S/H电荷共享消除技术
2013年
针对开关电容采样/保持(S/H)电路中由负载电容记忆效应引起的电荷共享问题进行了建模.电荷共享效应会导致运放建立幅度增加,根据所推导的运放建立总公式,得出建立幅度增加会增大对运放功耗和带宽要求,或者降低建立速度.为改善该现象,基于预充电思想和双采样技术提出了一种优化方案,能在保持原S/H电路速度不变时,消除电荷共享效应对运放功耗和带宽的额外要求.仿真实现的12位100Msps双采样/保持电路证明了其有效性.
孙振亚眭志凌陈华徐双恒朱欢张军
关键词:开关电容采样记忆效应电荷共享预充电
共1页<1>
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