郑建强
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术更多>>
- CH_3NH_3PbI_3钙钛矿太阳电池晶粒尺寸及光电性能调控被引量：2
- 2018年
- 钙钛矿薄膜的晶粒尺寸对器件性能影响很大。采用湿润性不同的空穴传输层以及不同浓度的CH_3NH_3I(MAI)溶液,使用热退火和溶剂气氛退火的方法制备出CH_3NH_3PbI_3薄膜及相应电池。测量了不同制备条件的钙钛矿薄膜的X射线衍射、扫描电子显微镜、光致发光谱,以及器件的电流密度-电压曲线。结果表明,溶剂气氛退火可以有效地增大薄膜的晶粒尺寸,提高器件的电流密度;较高浓度的MAI能将PbI2完全转化为CH_3NH_3PbI_3,增大晶粒尺寸;不湿润的功函数更高的空穴传输层有利于电池效率的提高。制备了最高效率为13.3%的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿电池,为制备更大晶粒的钙钛矿薄膜与更高效率的钙钛矿太阳电池奠定了基础。
- 郑建强郑建强倪斌陈涛程国庆王玉琦
- 关键词：空穴传输层
- CH3NH3PbI3钙钛矿材料的制备与光电性能研究
- 有机无机杂化钙钛矿材料作为直接带隙半导体,其具有光吸收系数高,电荷扩散距离长,载流子迁移率高等优异性能。其中CH3NH3PbI3钙钛矿材料的带隙在1.5eV左右,可以吸收近红外到紫外范围的太阳光,采用CH3NH3PbI3...
- 郑建强
- 文献传递
- 热氧化方法制备直径可控的有序硅纳米线阵列
- 2017年
- 采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使用稀释的HF溶液去除表面氧化层得到可控直径/周期比、低孔隙密度的有序纳米线阵列。主要研究了氧化温度、氧化时间对硅纳米线形貌的影响,并根据扩展的Deal-Grove模型计算了硅纳米线氧化层厚度与氧化时间的关系,讨论了氧化过程中应力分布的影响,理论计算结果与实验结果一致。最后,采用两步氧化的方法制备出了低直径/周期比(约0.1)、低孔隙密度的有序硅纳米线阵列。
- 周步康李新化曹华翔史同飞陈涛郑建强王玉琦
- 关键词：热氧化硅纳米线
