刘艳红
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华中理工大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响
- 等离子增强化学气相沉积是制备优质薄膜的一种非常重要的方法，等离子体中输运参数与薄膜生长及其特性关系密切。我们综合利用自行设计和研制的管式射频等离子体诊断设备对等离子体中离子能量分布进行了成功的测量。
- 刘洪祥刘艳红王均震刘祖黎魏合林
- 关键词：磁镜场射频等离子体
- 磁镜场对均匀电场中电子输运特性的影响
- Monte Carlo方法研究了磁镜场对均匀电场中电子输运特性的影响。模型中，电子与中性粒子的碰撞过程有四种（弹性碰撞、激发碰撞、亚稳态碰撞和电离碰撞）。电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率决定。计算了汪同磁镜场...
- 刘艳红刘祖黎刘洪祥王均震姚凯伦
- 关键词：磁镜场电场电子输运
- 等离子体薄膜沉积中荷能量粒子的作用
- 利用蒙特卡罗方法初步研究了低能量粒子（＜100eV）对原子沉积薄层的影响。此作用我们简化为两部分：瞬时的局域溅射效应；持续宏观加温作用。
- 王均震刘祖黎刘洪祥刘艳红韩思恩
- 磁镜场对PCVD制备SnO_2导电薄膜的影响被引量：1
- 1997年
- 本文利用自制的磁常 研究了不同磁镜场对等离子体化学气相沉积(PCVD)技术制备的SnO^2导电薄膜电学性能的影响。实验表明:外加磁镜比为4.3的磁场可使薄膜电阻大大降低且分布均匀性增强;还可使反应中基片温度降低和电源输出电流减小。并对以上结果进行了分析和讨论。
- 刘艳红刘祖黎
- 关键词：导电薄膜二氧化锡
- 磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响被引量：3
- 2000年
- 运用阻碍栅极型能量分析器 ,在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布 .结果表明 ,在放电管中心处离子能量分布 ,随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移 ,但离子能量分布宽度却没有明显的变化 ;而随着磁镜比的增加离子能量分布却向高能方向偏移 ,并且离子能量分布宽度也将变宽 .由此可见 ,磁镜场参数对离子能量分布有很大影响 .
- 刘洪祥魏合林刘祖黎刘艳红王均震
- 关键词：磁镜场辉光放电射频等离子体
- MPCVD 法工艺特性对 SnO_2 薄膜导电性的影响
- 1998年
- 研究了磁等离子体化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性的影响．实验结果表明，外加适当位形、大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大降低，轴向分布均匀性明显增强．对以上结果进行了分析和讨论．
- 刘艳红刘祖黎姚凯伦
- 关键词：MPCVD磁镜场二氧化锡薄膜导电性
- 弱磁场对SnO_2薄膜性能的影响
- 2001年
- 利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了SnO2 薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小 ,研究了弱磁场对SnO2 薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明 ,随着磁镜比和磁场强度的增加 ,SnO2 薄膜的方块电阻在降低 ,且电阻分布变得比较均匀 ;但是 ,当磁镜比超过 5 .5时 ,SnO2 薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀。
- 刘洪祥魏合林刘艳红刘祖黎
- 关键词：PECVD磁镜场电阻二氧化锡
