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刘昊

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片低噪声放...
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇GAN
  • 1篇KU波段

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇彭龙新
  • 1篇牛超
  • 1篇刘昊

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ku波段GaN单片低噪声放大器的研制被引量：2
2017年
研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25μm Ku功率工艺,工作电压为10 V。在12~18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 d B,增益G≥20 d B,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5。该芯片在16 GHz下,承受38 d Bm的大功率输入脉冲(周期为1 ms,占空比为10%)10 min,经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象。
刘昊彭龙新牛超凌志健
关键词：低噪声放大器GAN单片
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共1页<1>
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