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牛超

作品数：3 被引量：8H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇单片
  • 2篇单片低噪声放...
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇放大器
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇移相器
  • 1篇杂波
  • 1篇杂波抑制
  • 1篇数字衰减器
  • 1篇数字移相器
  • 1篇衰减器
  • 1篇迁移率

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇彭龙新
  • 3篇牛超
  • 1篇刘石生
  • 1篇李光超
  • 1篇詹月
  • 1篇邹文静
  • 1篇刘昊

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
串转并数控集成宽带幅相控制MMIC被引量：1
2016年
基于NEDI 0.15μm E/D GaAs PHEMT工艺,研制出了一款集成了6位移相器、6位衰减器和24位串转并数字驱动器的X-Ku波段宽带幅相控制多功能芯片。其中衰减器采用了电容补偿T型开关衰减结构和电感校正π型开关衰减结构,具有衰减精度高和相位变化小等优点。24位串转并数字电路极大地减少了MMIC控制线的数目,且具有存储两个控制码的能力。测试结果表明:在8~18GHz频带内,插入损耗为-9.8^-12.2dB,移相误差均方根值(RMS)小于8°,移相幅度均衡小于±1.2dB。衰减误差RMS小于1.2dB,衰减附加相移RMS小于6°,输入输出驻波小于1.8。24位串转并数字电路时钟频率为17 MHz,高低电平的阈值电压分别为3.6V和3.4V。
邹文静彭龙新刘石生詹月李光超牛超
关键词：数字衰减器数字移相器单片微波集成电路GAAS
2~20GHz GaAs超宽带杂谱抑制单片低噪声放大器被引量：5
2016年
基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了2~20GHz的超宽带要求。两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电。分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17dB,典型噪声系数为2.5dB,输入驻波≤1.6,输出驻波≤1.9,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤75mA;负反馈低噪声放大器芯片的典型增益≥20dB,典型噪声系数≤3.0dB,输入输出驻波≤2.1,1dB增益压缩输出功率≥14dBm,电流≤60mA。用探索到的杂谱抑制理念,设计的两种放大器在全频带、全温(-55^+125℃)、大小信号输入下均未见到杂波,成功解决了国外同类产品HMC462在低温(-55℃)下存在杂散的严重问题。
彭龙新牛超凌显宝凌志健
关键词：微波单片集成电路超宽带低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管分布式结构杂波抑制
Ku波段GaN单片低噪声放大器的研制被引量：2
2017年
研制了一款Ku波段GaN单片低噪声放大器,该放大器采用了GaN 0.25μm Ku功率工艺,工作电压为10 V。在12~18 GHz频带内,噪声NF≤2.9 d B,增益G≥20 d B,输入驻波比VSWR1≤1.8,输出驻波比VSWR2≤1.5。该芯片在16 GHz下,承受38 d Bm的大功率输入脉冲(周期为1 ms,占空比为10%)10 min,经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象。
刘昊彭龙新牛超凌志健
关键词：低噪声放大器GAN单片
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