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肖慧

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇外延炉
  • 1篇温度曲线
  • 1篇线圈
  • 1篇加热器
  • 1篇SIC

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇林伯奇
  • 1篇陈特超
  • 1篇胡凡
  • 1篇龙长林
  • 1篇龚杰洪
  • 1篇程文静
  • 1篇杨一鸣
  • 1篇肖慧

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiC外延炉加热系统的设计被引量：4
2017年
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。
陈特超林伯奇龙长林肖慧胡凡程文静丁杰钦杨一鸣龚杰洪
关键词：碳化硅加热器线圈温度曲线
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