刘斌
- 作品数：41 被引量：56H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>
- 一种H<Sub>2</Sub>微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法
- 本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括：步骤一：清洗需要碳化硅晶片；步骤二：将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三：将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四...
- 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
- 文献传递
- 大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管(英文)被引量：4
- 2002年
- 设计与制作了大功率 80 8nm Al Ga As/ Ga As宽波导激光二极管 .器件的 Al0 .3 5Ga0 .65As波导厚度提高到0 .9μm,宽波导会引起高阶模的激射 .为了抑制高阶模 ,Al0 .55Ga0 .45As限制层厚度降低到 0 .7μm ,同时确保基横模的辐射损耗在 0 .2 cm- 1 以下 .采用 MOCVD进行材料生长 ,得到了高性能的器件 ,10 0 μm条形激光二极管的最大输出达 10 .2 W.
- 方高瞻肖建伟马骁宇冯小明王晓薇刘媛媛刘斌谭满清蓝永生
- 关键词：大功率激光二极管波导MOCVD砷化镓
- 980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：7
- 2003年
- 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。
- 刘斌张敬明马骁宇肖建伟
- 关键词：质子注入COD掺饵光纤放大器
- 一种新型的4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计和模拟研究
- 在本文中，介绍了一种新型4H-SiC基TMBS器件的设计一方案及其电学特性模拟结果。这种新型的器件结构的特点在于：沟槽侧壁的氧化层设计的较薄，目的是加强沟槽侧壁MOS结构的电荷耦合作用，使器件在承受高反压的情况下更好的夹...
- 郑柳孙国胜张峰刘胜北董林刘兴昉刘斌闫果果王雷赵万顺
- 关键词：肖特基二极管氮化硅电学特性
- 文献传递
- 碳化硅外延层区域掺杂的方法
- 一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
- 刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
- 塔式多片外延生长装置
- 一种塔式多片外延生长装置，包括：一塔式片架，该塔式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，立柱上的凹槽有多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；托盘，其边缘厚度与每一立柱上的凹槽的高度相同，每个托盘可以稳定固定于一组凹...
- 刘兴昉刘胜北刘斌闫果果赵万顺王雷张峰孙国胜曾一平
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- 用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔
- 本发明一种用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔，其特征在于，其中包括：一热沉，该热沉为一矩形体，在热沉的中间开有一通孔；一绝缘圈置于热沉的通孔内；多个激光二极管列阵条与多个弧形电极围成一圈安装于绝缘圈的内表面，...
- 方高瞻肖建伟马骁宇王晓薇冯小明刘斌刘媛媛
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- 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
- 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
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- 碳化硅外延层区域掺杂的方法
- 一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
- 刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
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- 碳膜对于Al+注入4H-SiC (0001)高温退火效果的研究
- 经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干...
- Bin Liu刘斌Guosheng Sun孙国胜Xingfang Liu刘兴昉Zhi He何志Yiping Zeng曾一平
- 关键词：高温退火粗糙度
