Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85 GHz、输入功率为40.5 d Bm、脉冲宽度为3 ms、占空比为30%的脉冲射频工作条件下,对S波段Ga N微波功率管进行了壳温为150℃的加速寿命试验。应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算,推导出该器件在壳温为90℃的工作条件下其平均失效时间可达2.97×106h。结果表明,采用此试验方法可以用来评估第三代Ga N微波功率器件的可靠性水平。
