余若祺
- 作品数：25 被引量：26H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高效率小型化S波段160W功率放大器载片研制被引量：2
- 2021年
- 为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10%的条件下,得出2.7~3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67%的性能指标,这一产品的外形尺寸为10 mm×8 mm,可广泛应用于多种电子系统,希望本文提出的研究方法可为后续同类产品的研制提供参考。
- 范国莹银军王毅李保第倪涛余若祺徐会博董世良
- 电源调制管理压块及其制备方法
- 本申请适用于微波射频功率管及模块组件技术领域，提供了电源调制管理压块及其制备方法，该压块包括：压块盖板、电源管理电路元器件、电源管理电路板、电容、MOS管、电容电路板、MOS管电路板和压块壳体；压块壳体外侧设置有用于固定...
- 张一尘许春良斛彦生余若祺银军倪涛徐守利刘志军
- X波段1000W大功率内匹配功率器件研制被引量：2
- 2019年
- 一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效率达到38.9%。
- 李剑锋银军余若祺梁青默江辉黄雒光
- 关键词：GAN高功率内匹配X波段KW
- X波段小型化高集成度130W功放载片研制被引量：1
- 2019年
- 本文介绍了一种X波段小型化高增益高集成度功放载片的设计方法。该功率载片基于28V工作GaN功率单片和功率管芯,采用内匹配方式和混合集成电路形式,研制的四级放大链高集成度的功放载片,实现了X波段9.0~10.0GHz频段内,28V工作电压、150μs脉宽、25%占空比工作条件下,功率输出大于51.5dBm、功率增益大于33.5dB、功率附加效率大于33%的性能指标。功放载片尺寸20mm×12mm×2mm,实现了高增益高集成度的百瓦级功率载片的研制目标。
- 倪涛银军王毅余若祺李剑锋斛彦生李晶
- 关键词：GANX波段高集成度高增益小型化
- C波段高效率小型化GaN 150W功率放大器载片设计
- 2023年
- 介绍了一种C波段高效率GaN功率放大器的设计流程。该功率放大器为满足小型化尺寸要求,采用高介电常数的钛酸锆陶瓷实现功分器匹配电路,通过无源集总元件(integrated passive device,IPD)技术,创新性地将栅极匹配电容和二次谐波匹配网络集成在同一芯片尺寸内,采用Lange电桥合成构成平衡结构的小型化功率放大器载片。整个功率放大器在15.0 mm×9.2 mm×2.0 mm的载体内实现。测试结果显示,在工作电压36 V、输入功率40 dBm、脉宽1 ms、占空比30%条件下,4.4 GHz~5.0 GHz频带内饱和输出功率在145~166 W,功率增益在10~10.6 dB,功率附加效率大于56%,最高功率附加效率达到59.3%。
- 斛彦生王毅银军倪涛余若祺董世良王浩杰
- 关键词：GANIPD宽带
- P波段宽带放大器输出内匹配网络
- 本发明提供一种P波段宽带放大器输出内匹配网络。该输出内匹配网络包括第一微带线、第二微带线、多个匹配电容和隔直电容，第一微带线与多个匹配电容形成LC匹配网络，第二微带线与隔直电容形成隔直网络；第一微带线的一端作为LC匹配网...
- 倪涛李晶余若祺银军王毅斛彦生徐守利高永辉
- S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现被引量：10
- 2017年
- 本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成。在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55d Bm),功率增益大于14d B,功率附加效率大于62%。
- 斛彦生余若祺银军张志国李静强黄雒光
- 关键词：GANHEMT内匹配功率合成
- C波段8W PHEMT功率管的设计
- 本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的...
- 邱旭邢东权东利余若祺
- 关键词：功率晶体管半导体材料
- 文献传递
- UHF频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器设计
- 2023年
- 采用50 V氮化镓(GaN)芯片,设计一款超高频(UHF)频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器。基于砷化镓(GaAs)无源工艺,设计芯片化的输入集成无源器件(IPD)匹配电路;基于高热率的瓷片,设计集成的“L”型瓷片预输出匹配,以及基于高介电常数的印刷电路板(PCB)板材,设计外输出匹配电路,从而实现输出匹配电路的宽带小型化。采用混合集成工艺实现小型化高密度集成,功率放大器体积为25 mm×25 mm×7 mm。经测试,功率放大器在频带为0.3 GHz~0.7 GHz、电压为50 V、脉宽为100μs、占空比为10%、输入功率为15 W的工作条件下,实现了带内输出功率大于350 W、功率增益大于13.5 dB、功率附加效率大于50%的性能指标。
- 张晓帆银军倪涛余若祺高永辉林正兆
- 关键词：超宽带GAN小型化功率放大器UHF
- 基于非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器被引量：1
- 2022年
- 耦合光电振荡器利用有源再生主动锁模技术极大地缩短了光纤环腔长度,有效提升了低相噪光电振荡器的集成度与稳定性。针对传统耦合光电振荡器存在的偏振敏感和超模杂散问题,本团队构建了基于180 m非保偏光纤环腔的启钥式耦合光电振荡器,实现了耦合光电振荡器的开机稳定起振和超模杂散抑制,产生的10 GHz射频信号相位噪声和杂散抑制比分别优于-125 dBc/Hz@10 kHz和76.3 dB。
- 刘京亮李晓琼戴键银军徐守利余若祺斛彦生许春良倪涛
- 关键词：光纤光学偏振不敏感
