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王绍权

作品数：11 被引量：9H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇放大器
  • 3篇电路
  • 3篇通信
  • 3篇通信装置
  • 3篇BICMOS
  • 2篇电路设计
  • 2篇移相器
  • 2篇有源相控阵
  • 2篇有源相控阵雷...
  • 2篇增益
  • 2篇增益放大
  • 2篇增益放大器
  • 2篇矢量调制
  • 2篇驻波
  • 2篇驻波比
  • 2篇相控阵
  • 2篇相控阵雷达
  • 2篇相位
  • 2篇可变增益
  • 2篇可变增益放大...

机构

  • 11篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 11篇王绍权
  • 7篇王磊
  • 3篇齐贺飞
  • 3篇徐永祥
  • 2篇周彪
  • 2篇白银超
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇宋学峰
  • 2篇王硕
  • 2篇张斌
  • 2篇马琳
  • 2篇李丰
  • 1篇刘德志
  • 1篇李增路
  • 1篇陈君涛
  • 1篇袁彪

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇现代信息科技
  • 1篇通信电源技术

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
本发明适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同...
王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
文献传递
栅极稳压系统及装置
本发明提供一种栅极稳压系统及装置。该系统包括：电源调制模块、档位锁定模块和栅压驱动模块，电源调制模块的第一输入端用于连接外部电源，电源调制模块的第二输入端用于连接外供逻辑电平的第一输出端，电源调制模块的第一输出端用于连接...
王鑫马琳王绍权徐林王磊周彪宋学峰袁彪刘阔赵子轩董雪
用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器被引量：1
2019年
基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高增益为17 dB,全频带内高低温增益变化0.5 dB,噪声系数为1.8 dB@10 GHz;LNA使用1.8 V供电,工作电流为14 mA。芯片核心面积为0.50 mm×0.58 mm。
刘德志王绍权王鑫马琳
关键词：SIGEBICMOS有源相控阵雷达X波段
一种抗单粒子效应的加固技术研究被引量：3
2022年
针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于DICE单元的双稳态D触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的D触发器,并基于该D触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换芯片。测试表明,采用改进D触发器结构的波控芯片能够抵御至少80 MeV的单粒子效应事件。芯片峰值功耗不大于10 mA,写入速率不低于10 MHz,功耗为1 mW/MHz。
齐贺飞王磊王鑫王绍权张梦月
关键词：单粒子效应抗辐照三模冗余
可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
本实用新型适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值...
王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
一种用于图像加速的DMA2D控制器被引量：3
2022年
随着片上系统(SoC)规模的不断增大,直接内存存取(DMA)控制器的功能也越来越完善,但目前对DMA控制器用于图像处理方面的理论研究和实现方法却鲜有报道。为了提高液晶屏(LCD)图像的刷新速度并降低内核的资源占用,提出了一种用于图像数据处理的二维DMA(DMA2D)控制器。该控制器基于先进高性能总线(AHB)完成数据传输,支持多种RGB图像输入输出格式并且能够进行两层图像的混合处理运算。对DMA2D的技术和工作原理进行分析,提出了较为完善的DMA2D控制器的设计方案。后端设计基于28 nm工艺库,测试结果表明,DMA2D控制器的工作频率可达到180 MHz,面积仅为400μm×500μm,相比于通用DMA控制器,其面积减小约69%,功耗仅为2.97 mW。DMA2D控制器加速启用后,速度提升约60%,数据传输速度可达330 MiB/s,显著提高了液晶屏的图像刷新速度。
王磊王鑫王绍权闫维高齐贺飞
关键词：物理设计
一种高功率射频开关及射频通信装置
本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明...
王鑫王绍权江浩王磊王梦坦周彪宋学峰徐永祥张凯娟庞龙李增路
Ka波段BiCMOS低功耗驱动放大器设计
2020年
该文介绍了一款Ka波段(33.0 GHz^37.0 GHz)低功耗驱动放大器。此放大器使用SiGe BiCMOS工艺设计,其采用了Cascade级联结构,提高了放大器的电源电压和工作频率带宽,通过实现共射极与共基极的级间匹配,可以有效地提高放大器的增益。测试结果表明:在33.0 GHz^37.0 GHz频率范围内,放大器增益大于15.0 dB,OP-1dB为-6.0 dBm。此放大器采用5.0 V供电,工作电流为8 mA,面积为0.7 mm^2。
王绍权廖余立王鑫
关键词：KA波段放大器有源相控阵雷达
X波段SiGe BiCMOS功率放大器设计
2016年
采用0.13μm Si Ge双极互补型金属氧化物半导体（Bi CMOS）工艺,设计了一款X波段功率放大器芯片。通过采用共射共基放大器电路结构和有源线性化偏置电路,提高了电路耐压值和功放最大输出功率。通过两级共射共基放大电路级联,结合级间匹配电路及输出匹配电路,提高了放大器的增益和工作带宽。采用非均匀功率管版图布局及镇流电阻,提升功率放大器电路可靠性。测试结果表明,在8-12 GHz频段内,放大器回波损耗均小于-10 d B,小信号增益大于30 d B,1 d B压缩点输出功率为16 d Bm,饱和功率大于19 d Bm,峰值饱和功率附加效率大于18%。该放大器工作在AB类,采用5 V供电,静态工作电流为80 m A,面积为1.22 mm×0.73 mm。
陈君涛王绍权廖余立
关键词：功率放大器功率附加效率结温
5G应用中IQ调制器调制精度的优化设计
2020年
介绍了IQ正交调制器关键指标对发射系统的影响,分析了导致调制器指标恶化的原因,最后提出了一种对IQ调制器中相位误差和直流失调模拟校正的方法。
王绍权江浩
关键词：相位误差直流失调
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