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徐永祥

作品数：9 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇芯片
  • 3篇增益
  • 3篇通信
  • 3篇通信装置
  • 3篇放大器
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇移相器
  • 2篇增益放大
  • 2篇增益放大器
  • 2篇矢量调制
  • 2篇贴装
  • 2篇气密
  • 2篇气密封装
  • 2篇驻波
  • 2篇驻波比
  • 2篇金属
  • 2篇晶圆
  • 2篇可变增益
  • 2篇可变增益放大...

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇徐永祥
  • 7篇赵瑞华
  • 5篇王磊
  • 4篇徐达
  • 4篇常青松
  • 3篇王绍权
  • 2篇白银超
  • 2篇要志宏
  • 2篇郝金中
  • 2篇潘海波
  • 2篇袁彪
  • 2篇王硕
  • 2篇史光华
  • 2篇张斌
  • 2篇马琳
  • 2篇李丰
  • 1篇周彪
  • 1篇李增路
  • 1篇宋学峰
  • 1篇李国军

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 5篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种气密封装器件及气密封装方法
本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，陶瓷基板设有贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔，陶瓷基板的第一通孔内部填充金属，第一通孔内的金属记为第一金属柱；至少两...
赵瑞华李仕俊徐达常青松史光华张延青许景通冯越江徐永祥谢永康郝金中
文献传递
一种高功率射频开关及射频通信装置
本发明提供一种高功率射频开关及射频通信装置。该射频开关包括：发射支路和接收支路。发射支路和接收支路并联后连接外部天线。接收支路，包括多个串联的晶体管，其中，靠近外部天线的晶体管的栅宽大于远离外部天线的晶体管的栅宽。本发明...
王鑫王绍权江浩王磊王梦坦周彪宋学峰徐永祥张凯娟庞龙李增路
一种晶圆级的3D芯片制备方法
本发明适用于芯片制备技术领域，提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法，包括：提供两组以上的独立芯片，其中，每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上；提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆；将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体...
徐达王磊袁彪杨彦锋张延青常青松要志宏赵瑞华潘海波王鑫马琳徐永祥许景通高占岭
可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
本发明适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值相同...
王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
文献传递
一种晶圆级的3D芯片制备方法
本发明适用于芯片制备技术领域，提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法，包括：提供两组以上的独立芯片，其中，每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上；提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆；将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体...
徐达王磊袁彪杨彦锋张延青常青松要志宏赵瑞华潘海波王鑫马琳徐永祥许景通高占岭
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SiGe HBT高增益宽带低噪声放大器设计被引量：1
2013年
基于锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)工艺设计了一款单片集成高增益宽带低噪声放大器(LNA)。该放大器采用复合型电阻负反馈结构,通过调整不同的反馈电阻,同时实现了良好的端口匹配、低噪声系数和高增益等特性,适合于射频或中频信号处理系统。芯片采用板上芯片(COB)方式测试,结果表明:在10～800 MHz工作频带内,单片集成低噪声放大器的噪声系数为1.62～1.90 dB,增益35 dB,输入输出端口反射系数分别小于-16 dB和-13 dB,1 dB压缩点输出功率为13 dBm,工作电流35 mA。单片集成低噪声放大器的芯片面积仅为0.48 mm×0.38 mm。
李国军徐永祥
关键词：高增益
可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置
本实用新型适用于集成电路设计技术领域，提供了一种可变增益放大器、矢量调制移相器及通信装置，上述可变增益放大器包括：第一负载模块、第二负载模块、第三负载模块及至少两个放大模块；所述第一负载模块的阻值和所述第二负载模块的阻值...
王绍权王鑫白银超赵瑞华王磊李丰徐永祥王硕王晟苏晓晨张斌李超韩猛王亚君
5～40 GHz CMOS衰减器的设计与实现被引量：2
2018年
基于GF 8HP 0.12μm Bi CMOS工艺设计并实现了一款应用于相控阵系统的具有低幅度均方根（RMS）误差的单片集成5～40 GHz 5 bit数控衰减器。该衰减器采用桥T和单刀双掷（SPDT）开关结构,其中的NMOS开关管通过采用体端悬浮技术,改善了衰减器在全部衰减态下插损的平坦度,降低了衰减器的插损,提高了衰减器的线性度。测试结果显示,在5～40 GHz频段内,该5 bit数控衰减器的插损最小值为5.7 d B,最大值为14.2 d B,幅度均方根误差小于0.39 d B,相移均方根误差小于5.7°,1 d B压缩点输入功率大于＋11 d Bm,芯片核心面积为0.86 mm×0.39 mm。
徐永祥赵瑞华
关键词：衰减器
一种气密封装器件
本实用新型公开了一种气密封装器件，包括：封装外壳，采用陶瓷基板作为封装底板，陶瓷基板设有贯穿陶瓷基板的上表面和下表面的第一通孔，陶瓷基板的第一通孔内部填充金属，第一通孔内的金属记为第一金属柱；至少两个第一芯片，安装在所述...
赵瑞华李仕俊徐达常青松史光华张延青许景通冯越江徐永祥谢永康郝金中
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