史梦然
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- InSb单元及线列器件I-V特性失效分析
- 2018年
- InSb单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。InSb器件I-V中测筛选既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片,还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和反馈。本文采用半导体参数分析仪对InSb单元及线列器件进行I-V测试,对日常测试中出现的I-V失效进行归纳,并对典型失效情况进行了失效原因分析,发现影响探测器芯片直流特性的主要因素是表面漏电。
- 史梦然史梦思
- 关键词：INSB光电二极管电流-电压特性
- 表面预处理对InSb钝化层界面的影响被引量：4
- 2014年
- 本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb衬底和钝化层之间的界面性能,尤其是选用N2O等离子预处理InSb衬底表面,在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面,效果更明显,有利于提高InSb红外器件的可靠性。
- 肖钰史梦然宁玮段建春
- 关键词：INSB钝化预处理
- MEOMS封装的锗窗金属化结构界面特性研究被引量：1
- 2016年
- 基于微光机电系统对真空封装的要求,采用磁控溅射法在锗窗口上制备不同膜系的金属化结构,研究在相同的热处理条件下,不同膜系结构对锗窗口界面特性的影响。采用俄歇电子能谱分析原子在膜层间和膜基间的扩散行为。采用划痕测试仪分析膜基间的力学性能。结果表明:Ni元素对Au元素的阻挡效果明显,Cr/Ge的界面扩散剧烈。Cr/Ni/Au金属化结构的膜基结合力为14N,优于其他膜系结构,对于提高锗窗膜基结合强度效果最显著。
- 王新宇史梦然
- 关键词：金属化俄歇电子能谱
- 热处理对红外窗口镀层金属的影响被引量：2
- 2011年
- 采用直流磁控溅射法制备红外透过窗口Ge窗的镀层金属。分别讨论了热处理温度和热处理时间对Ge窗金属化体系力学特性的影响。用纳米压痕仪测试仪测试Ge窗金属化体系的显微力学特性,并用金相显微镜观测金属薄膜的表面形貌,发现退火温度对Ge窗片上的金属薄膜的力学特性有较明显影响。
- 史梦然曹雪峰赵建忠
- 关键词：金属薄膜力学特性
