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低噪声整数频率合成芯片的设计被引量：1: 2014年; 设计了一个锁相环频率合成芯片。该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器（VCO）等电路于一体。详细分析了频率综合器中的各个关键模块，利用MATLAB软件优化环路参数，简化了电荷泵、VCO和片内环路参数的相关设计。最后，给出了芯片照片和流片测试结果，验证了设计方法和电路设计的正确性。该芯片在0．35p．mCMOS工艺下进行了流片，测试结果表明，电源电压3V，电流25mA，芯片面积为5．4mm。（3000μm×1800μm）。输出频率0．8～1．2GHz，步进50MHz，单边带相位噪声优于-106dBc／Hz@1kHz，-106dBc／Hz@10kHZ，-115dBc／Hz@100kHZ，-124dBc／Hz@1MHz，-140dBc／Hz@10MHz．; 蒋永红李晋; 关键词：电荷泵

多段LC VCO的自适应频段选择技术被引量：2: 2013年; 摘要：研究了一款单片CMOSLc压控振荡器（VCO）。除可变电容和开关电容阵列外，设计中还应用了二叉树的原理。多频段VCO自适应选择最优工作频段，将压控电压置于预先设定的范围内，谐振频率放在该频段的中心附近，提高了VCO的工作稳定性。设计难点在于如何控制压控电压位于合适的范围。将该VCO应用在锁相环（PLL）中，对锁相环芯片测试的结果表明，当压控电压为1～2V时，锁相环能够快速锁定，频率输出范围为600～1300MHz。电荷泵的NMOS和PMOS匹配最佳，相位噪声最好。自适应频段选择技术还提高了锁相环的工作可靠性，强制控制电压进入设定区间，保证了锁相环可靠入锁，在高、低温下也不会发生失锁。; 齐贺飞陈陵都赵瑞华李晋陈君涛; 关键词：二叉树多频段

一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计: 2016年; 详细介绍了一款基于0.25μm射频互补金属氧化物半导体(RF CMOS)工艺的可编程压控晶体振荡器(VCXO)芯片。将A/D技术和小数锁相环技术结合在一起,实现了VCXO输出频率范围、频率步进、牵引范围、压控极性可编程。在0.25μm RF CMOS工艺下进行了流片,芯片面积为3 000μm×2 000μm,将芯片封装到符合工作标准的5 mm×7 mm陶瓷管壳。测试结果表明,该芯片在(2.5±5%)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,通过兼容工业标准I2C接口,实现编程输出频率为15.5~866.6 MHz和975~1 300 MHz,频率步进(343/N)Hz(N为锁相环输出分频器值);牵引范围为±9×10-6~±567×10-6,步进9×10-6;在频点662.41 MHz,均方根抖动典型值为360 fs(积分区间12 k Hz^20 MHz)。测试结果验证了设计方法和电路设计的正确性。; 李晋陈君涛黎敏强蒋永红赵瑞华; 关键词：电荷泵

18GHz整数频率合成芯片: 2016年; 设计了一款工作频率可达18 GHz的低噪声整数频率合成芯片。该芯片内部集成参考分频器、频率鉴相电路、电荷泵电路、射频分频器等。对影响锁相环带内相位噪声的两个关键电路（鉴频鉴相器和电荷泵电路）进行了详细分析。对射频分频器电路也进行了详细的讨论。用Si Ge Bi CMOS工艺进行了流片,芯片面积为2 100μm×1 900μm。测试结果表明,芯片在（3.3±0.3）V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,典型电流为76 m A,实现射频分频器工作频率为4~18 GHz,参考分频器工作频率为1~160 MHz,鉴相器工作频率为1~105 MHz,典型归一化本底噪声为-228 d Bc/Hz。该芯片在超宽带低噪声频率合成的微波组件中有很好的应用前景。; 李晋齐贺飞王硕蒋永红赵瑞华; 关键词：电荷泵分频器相位噪声

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李晋