蒋永红 作品数:9 被引量:5 H指数:1 供职机构: 中国电子科技集团第十三研究所 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
18GHz介质振荡器 18GHz介质振荡器是一种输出频率较高的频率源。本振荡器由输入匹配电路、输出匹配电路、高Q反馈电路分等组成。电路设计采用计算机辅助设计,设计和实际达到了很好地吻合。主要性能如下:输出频率18GHz,输出功率≥10dBm,... 袁景中 蒋永红关键词:介质振荡器 相位噪声 微波 Ku波段微波接收组件 Ku波段微波接收组件主要是接收微波频段16~17GHz的信号,并进行解调。本组件主要包括低噪声组件、振荡器、镜像抑制混频器、中放AGC、解调和视频放大。振荡器可提供4种不同的频率,由电平选择。高放变频部分主要完成对微波信... 吴景峰 蒋永红关键词:低噪声放大器 混频器 中放 低噪声整数频率合成芯片的设计 被引量:1 2014年 设计了一个锁相环频率合成芯片。该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器(VCO)等电路于一体。详细分析了频率综合器中的各个关键模块,利用MATLAB软件优化环路参数,简化了电荷泵、VCO和片内环路参数的相关设计。最后,给出了芯片照片和流片测试结果,验证了设计方法和电路设计的正确性。该芯片在0.35p.mCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,电源电压3V,电流25mA,芯片面积为5.4mm。(3000μm×1800μm)。输出频率0.8~1.2GHz,步进50MHz,单边带相位噪声优于-106dBc/Hz@1kHz,-106dBc/Hz@10kHZ,-115dBc/Hz@100kHZ,-124dBc/Hz@1MHz,-140dBc/Hz@10MHz. 蒋永红 李晋关键词:电荷泵 星载高可靠裸芯片设计 被引量:1 2014年 通过研究裸芯片的可靠性保证技术,提出了集成的已知良好芯片(KGD-确优裸片)的可靠性保证指南,并制定了完善的裸芯片设计、生产、过程控制和可靠性评估等技术流程。文章确定了KGD的规范线,作为裸芯片可靠性测试的检验标准。根据KGD规范线对裸芯片进行全频测试,并进行3MHz老化试验。通过试验,可以确保KGD的可靠性指标达到IC封装的要求,最终实现使用裸芯片的星载电子装备小型化、轻量化、高可靠、多功能和低成本。 蒋永红关键词:裸芯片 可靠性 成品率 多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法 本发明适用于微波微系统测试技术领域,提供了一种多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法,该系统包括:上位机、测试仪器和待测产品;上位机可以配置待测产品的基准数据、待测产品的工作模式和测试仪器的状态参数;获取待测产品和测试... 郑宏斌 王强 蒋永红 吴立丰 赵瑞华 姜兆国 李晓斌 张恒晨 孙佳林 宋铖 靳英策 王飞 郭建 滑国红 周泽文献传递 Ku波段宽带高增益单片中功率放大器 被引量:3 2013年 介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制。针对放大器工作频带宽和增益高,容易产生自激振荡等问题,设计过程中特别考虑了放大器的稳定性和增益平坦度。采用0.25μm栅长的GaAs PHEMT工艺完成了芯片制造,微波性能测试结果表明,在12~18 GHz内,该放大器输出功率大于27 dBm,功率增益大于27 dB,输入回波损耗大于12 dB。 蒋永红关键词:GAAS 单片 KU波段 高增益 功率放大器 16GHz介质振荡器 16GHz介质振荡器是一种输出频率较高的频率源.振荡器由输入匹配电路、输出匹配电路、高Q值反馈电路等组成.电路设计采用计算机辅助设计,设计和实际达到了很好地吻合.主要性能如下:输出频率16GHz,输出功率≥10dBm,杂... 蒋永红 袁景中关键词:介质振荡器 相位噪声 高频振荡器 文献传递 18GHz整数频率合成芯片 2016年 设计了一款工作频率可达18 GHz的低噪声整数频率合成芯片。该芯片内部集成参考分频器、频率鉴相电路、电荷泵电路、射频分频器等。对影响锁相环带内相位噪声的两个关键电路(鉴频鉴相器和电荷泵电路)进行了详细分析。对射频分频器电路也进行了详细的讨论。用Si Ge Bi CMOS工艺进行了流片,芯片面积为2 100μm×1 900μm。测试结果表明,芯片在(3.3±0.3)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,典型电流为76 m A,实现射频分频器工作频率为4~18 GHz,参考分频器工作频率为1~160 MHz,鉴相器工作频率为1~105 MHz,典型归一化本底噪声为-228 d Bc/Hz。该芯片在超宽带低噪声频率合成的微波组件中有很好的应用前景。 李晋 齐贺飞 王硕 蒋永红 赵瑞华关键词:电荷泵 分频器 相位噪声 一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计 2016年 详细介绍了一款基于0.25μm射频互补金属氧化物半导体(RF CMOS)工艺的可编程压控晶体振荡器(VCXO)芯片。将A/D技术和小数锁相环技术结合在一起,实现了VCXO输出频率范围、频率步进、牵引范围、压控极性可编程。在0.25μm RF CMOS工艺下进行了流片,芯片面积为3 000μm×2 000μm,将芯片封装到符合工作标准的5 mm×7 mm陶瓷管壳。测试结果表明,该芯片在(2.5±5%)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,通过兼容工业标准I2C接口,实现编程输出频率为15.5~866.6 MHz和975~1 300 MHz,频率步进(343/N)Hz(N为锁相环输出分频器值);牵引范围为±9×10-6~±567×10-6,步进9×10-6;在频点662.41 MHz,均方根抖动典型值为360 fs(积分区间12 k Hz^20 MHz)。测试结果验证了设计方法和电路设计的正确性。 李晋 陈君涛 黎敏强 蒋永红 赵瑞华关键词:电荷泵