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作者

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  • 1篇吴立丰
  • 1篇吴景峰
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  • 2篇2016
  • 2篇2014
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  • 1篇2004
  • 2篇2003
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
18GHz介质振荡器
18GHz介质振荡器是一种输出频率较高的频率源。本振荡器由输入匹配电路、输出匹配电路、高Q反馈电路分等组成。电路设计采用计算机辅助设计,设计和实际达到了很好地吻合。主要性能如下:输出频率18GHz,输出功率≥10dBm,...
袁景中蒋永红
关键词:介质振荡器相位噪声微波
Ku波段微波接收组件
Ku波段微波接收组件主要是接收微波频段16~17GHz的信号,并进行解调。本组件主要包括低噪声组件、振荡器、镜像抑制混频器、中放AGC、解调和视频放大。振荡器可提供4种不同的频率,由电平选择。高放变频部分主要完成对微波信...
吴景峰蒋永红
关键词:低噪声放大器混频器中放
低噪声整数频率合成芯片的设计被引量:1
2014年
设计了一个锁相环频率合成芯片。该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器(VCO)等电路于一体。详细分析了频率综合器中的各个关键模块,利用MATLAB软件优化环路参数,简化了电荷泵、VCO和片内环路参数的相关设计。最后,给出了芯片照片和流片测试结果,验证了设计方法和电路设计的正确性。该芯片在0.35p.mCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,电源电压3V,电流25mA,芯片面积为5.4mm。(3000μm×1800μm)。输出频率0.8~1.2GHz,步进50MHz,单边带相位噪声优于-106dBc/Hz@1kHz,-106dBc/Hz@10kHZ,-115dBc/Hz@100kHZ,-124dBc/Hz@1MHz,-140dBc/Hz@10MHz.
蒋永红李晋
关键词:电荷泵
星载高可靠裸芯片设计被引量:1
2014年
通过研究裸芯片的可靠性保证技术,提出了集成的已知良好芯片(KGD-确优裸片)的可靠性保证指南,并制定了完善的裸芯片设计、生产、过程控制和可靠性评估等技术流程。文章确定了KGD的规范线,作为裸芯片可靠性测试的检验标准。根据KGD规范线对裸芯片进行全频测试,并进行3MHz老化试验。通过试验,可以确保KGD的可靠性指标达到IC封装的要求,最终实现使用裸芯片的星载电子装备小型化、轻量化、高可靠、多功能和低成本。
蒋永红
关键词:裸芯片可靠性成品率
多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法
本发明适用于微波微系统测试技术领域,提供了一种多通道宽带微波集成组件自动测试系统及方法,该系统包括:上位机、测试仪器和待测产品;上位机可以配置待测产品的基准数据、待测产品的工作模式和测试仪器的状态参数;获取待测产品和测试...
郑宏斌王强蒋永红吴立丰赵瑞华姜兆国李晓斌张恒晨孙佳林宋铖靳英策王飞郭建滑国红周泽
文献传递
Ku波段宽带高增益单片中功率放大器被引量:3
2013年
介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用ADS软件对电路图进行了电学参数优化、电磁场仿真和版图绘制。针对放大器工作频带宽和增益高,容易产生自激振荡等问题,设计过程中特别考虑了放大器的稳定性和增益平坦度。采用0.25μm栅长的GaAs PHEMT工艺完成了芯片制造,微波性能测试结果表明,在12~18 GHz内,该放大器输出功率大于27 dBm,功率增益大于27 dB,输入回波损耗大于12 dB。
蒋永红
关键词:GAAS单片KU波段高增益功率放大器
16GHz介质振荡器
16GHz介质振荡器是一种输出频率较高的频率源.振荡器由输入匹配电路、输出匹配电路、高Q值反馈电路等组成.电路设计采用计算机辅助设计,设计和实际达到了很好地吻合.主要性能如下:输出频率16GHz,输出功率≥10dBm,杂...
蒋永红袁景中
关键词:介质振荡器相位噪声高频振荡器
文献传递
18GHz整数频率合成芯片
2016年
设计了一款工作频率可达18 GHz的低噪声整数频率合成芯片。该芯片内部集成参考分频器、频率鉴相电路、电荷泵电路、射频分频器等。对影响锁相环带内相位噪声的两个关键电路(鉴频鉴相器和电荷泵电路)进行了详细分析。对射频分频器电路也进行了详细的讨论。用Si Ge Bi CMOS工艺进行了流片,芯片面积为2 100μm×1 900μm。测试结果表明,芯片在(3.3±0.3)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,典型电流为76 m A,实现射频分频器工作频率为4~18 GHz,参考分频器工作频率为1~160 MHz,鉴相器工作频率为1~105 MHz,典型归一化本底噪声为-228 d Bc/Hz。该芯片在超宽带低噪声频率合成的微波组件中有很好的应用前景。
李晋齐贺飞王硕蒋永红赵瑞华
关键词:电荷泵分频器相位噪声
一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计
2016年
详细介绍了一款基于0.25μm射频互补金属氧化物半导体(RF CMOS)工艺的可编程压控晶体振荡器(VCXO)芯片。将A/D技术和小数锁相环技术结合在一起,实现了VCXO输出频率范围、频率步进、牵引范围、压控极性可编程。在0.25μm RF CMOS工艺下进行了流片,芯片面积为3 000μm×2 000μm,将芯片封装到符合工作标准的5 mm×7 mm陶瓷管壳。测试结果表明,该芯片在(2.5±5%)V,温度为-55~85℃环境下,可以稳定工作,通过兼容工业标准I2C接口,实现编程输出频率为15.5~866.6 MHz和975~1 300 MHz,频率步进(343/N)Hz(N为锁相环输出分频器值);牵引范围为±9×10-6~±567×10-6,步进9×10-6;在频点662.41 MHz,均方根抖动典型值为360 fs(积分区间12 k Hz^20 MHz)。测试结果验证了设计方法和电路设计的正确性。
李晋陈君涛黎敏强蒋永红赵瑞华
关键词:电荷泵
共1页<1>
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