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何健

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇SOI
  • 1篇电路
  • 1篇电子标签
  • 1篇隐私
  • 1篇智能功率集成...
  • 1篇数据传输
  • 1篇漂移区
  • 1篇群组
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压特性
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路
  • 1篇RFID
  • 1篇RSYNC算...
  • 1篇SOI_LD...
  • 1篇TG
  • 1篇LDMOS
  • 1篇LIGBT
  • 1篇标签

机构

  • 4篇杭州电子科技...

作者

  • 4篇张海鹏
  • 4篇何健
  • 3篇郝希亮
  • 2篇王彬
  • 2篇张强
  • 2篇韩标
  • 1篇张静
  • 1篇王少奎

传媒

  • 2篇电子科技
  • 1篇数据通信
  • 1篇电子世界

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种基于Rsync算法的改进型两轮同步算法被引量:3
2017年
随着互联网的快速发展,对文件的共享,文件的备份,文件的存储,文件的同步等数据传输速率要求提高。客户端包括各个操作系统的版本,实现了电脑,平板,手机,服务器端的互联,特别是对于不同操作系统不同设备之间的文件数据同步,成为云同步研究的重点。为了改进当前不同操作系统不同设备之间的文件数据云同步效率。提出了一种基于Rsync算法的文件内容切块和滑动窗口切块精细分块结合的两轮同步算法。将两轮同步算法与传统的Rsync算法进行了对比实验测试,通过对不同大小的文件块,比较差异文件命中率和计算传输时间,结果表明在数据块的计算方面速度优于Rsync算法,两轮同步算法对系统传输时间优于传统的Rsync算法。
张静王少奎郝希亮韩标何健张海鹏
关键词:数据传输RSYNC算法
N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS器件的耐压特性
2016年
为了提高横向小尺寸薄埋氧层BPL SOI LDMOS器件的横向耐压,提出一种N漂移区减薄的BPL SOI LDMOS结构。该结构在BPL SOI LDMOS N漂移区的上表面引入一个沟槽。当器件正向截止时,与原结构相比,新结构具有更高的横向耐压值和漂移区最优掺杂浓度。采用2维数值仿真工具TCAD对该器件结构仿真测试,结果表明与原结构相比,该结构横向耐压得到显著提高。
李阜骄张海鹏郝希亮何健张强
关键词:SOILDMOS
一种硅基新结构TG VDC SOI LIGBT
2018年
针对传统的槽栅SOI LIGBT无法满足日益发展的智能功率集成电路对耐压性能和大电流处理能力需求的问题,文中提出了一种槽栅纵向双单元SOI LIGBT新结构。该结构在传统槽栅SOI LIGBT的漂移区引入了一个第二埋氧层,将器件隔离成上下两个并联的LIGBT单元,利用第二埋氧层的隔离增强器件的电流处理能力,并采用RESURF技术改善器件的正向阻断特性。Silvaco TCAD仿真结果表明,与常规TG SOI LIGBT相比,基于这种结构的通态电流提高了1. 2倍,击穿电压提高了1倍。
张海鹏何健白建玲张强王颖王彬
关键词:槽栅智能功率集成电路
一种安全高效的电子标签群组认证方案被引量:1
2018年
针对现有标签认证存在的效率不高和安全威胁等问题,文中提出了一种新的标签群组认证方案。该方案中,采用随机数和聚合哈希函数技术,将标签分组,每组共享一个组秘钥。充分利用群组秘钥和标签私有秘钥之间关系,采用聚合哈希技术,减少阅读器和服务器之间的通信次数,在满足安全性和隐私等方面要求的前提下,该方案认证效率较高,并通过模拟仿真实验对方案进行验证。结果表明,该方案在认证效率和安全性方面都优于其他群组认证方案,且认证全过程所需时间花费比现有的认证方案降低了20%以上。
张海鹏程雨何健韩标韩标王彬
关键词:RFID隐私
共1页<1>
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